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晶片電阻的故障案例過負載引起的損壞

過負載造成損壞的機理

下面介紹對晶片電阻施加高於各產品規定功率(電壓)時造成的故障案例。

當對晶片電阻施加明顯超過規定功率(電壓)的大功率(高電壓)時,
①在雷射調阻槽剩餘邊緣將會產生電流集中現象。(下圖中〇圈起來的部分)

在該電流集中部分產生的焦耳熱導致局部溫升。

晶片電阻的內部結構・電流集中部分

另一方面,透過氧化鋁基板等的散熱(熱傳遞)現象也同時發生。
相比其發熱量,如果散熱量不足,就有可能會超過電阻體或保護膜的耐熱溫度,這部分中的一部分可能會出現熔化現象,導致局部斷線。
如果再加上施加的電壓較高的情況,則鐳射調阻槽的剩餘邊緣會完全熔斷,最終導致斷線(電阻開路)。
當負載過大時,主體還可能會開裂。

超出耐熱溫度後熔化並斷線,電阻開路

施加過電壓時的電阻值變化範例

晶片電阻通常在被施加過電壓時負向變化,進一步被施加重負載時正向變化,最終導致斷線(開路)。

超出耐熱溫度後熔化並斷線,電阻開路
  • ①過負載初期
    電阻體中的絕緣成分(玻璃)被損壞,電阻值下降。(此時處於短路狀態)
  • ②過負載後期⇒開路損壞
    發熱量導致導體成分局部熔化,電流進一步集中在剩餘的導體部分,進而導致導體整體熔斷而造成開路。

電阻結構

電阻結構

電阻瞭解產品詳情

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