晶片電阻的故障案例過負載引起的損壞
過負載造成損壞的機理
下面介紹對晶片電阻施加高於各產品規定功率（電壓）時造成的故障案例。
當對晶片電阻施加明顯超過規定功率（電壓）的大功率（高電壓）時，
①在雷射調阻槽剩餘邊緣將會產生電流集中現象。（下圖中〇圈起來的部分）
在該電流集中部分產生的焦耳熱導致局部溫升。
另一方面，透過氧化鋁基板等的散熱（熱傳遞）現象也同時發生。
相比其發熱量，如果散熱量不足，就有可能會超過電阻體或保護膜的耐熱溫度，這部分中的一部分可能會出現熔化現象，導致局部斷線。
如果再加上施加的電壓較高的情況，則鐳射調阻槽的剩餘邊緣會完全熔斷，最終導致斷線（電阻開路）。
當負載過大時，主體還可能會開裂。
施加過電壓時的電阻值變化範例
晶片電阻通常在被施加過電壓時負向變化，進一步被施加重負載時正向變化，最終導致斷線（開路）。
- ①過負載初期
電阻體中的絕緣成分(玻璃)被損壞，電阻值下降。(此時處於短路狀態) - ②過負載後期⇒開路損壞
發熱量導致導體成分局部熔化，電流進一步集中在剩餘的導體部分，進而導致導體整體熔斷而造成開路。
