SiC功率元件

與傳統的矽元件相比,碳化矽(SiC)元件由於擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成為下一代低損耗半導體可行的候選元件。此外,SiC讓設計人員能夠減少元件的使用,可進一步降低設計的複雜程度。

羅姆在SiC功率元件和模組的開發領域處於領先地位,這些元件和模組在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。

SiC技術應用:

  • 太陽能和風力發電的DC/AC轉換器中的高效率逆變器
  • 電動和混合動力車的功率轉換器
  • 工控設備和空調設備的功率逆變器
  • X光生成器的高壓開關
  • 薄膜塗層工藝

羅姆SiC產品

羅姆的豐富產品陣容包括SiC蕭特基二極體(SBD)、SiC MOSFET、全SiC功率模組(內建SiC SBD和SiC MOSFET)以及高熱阻功率模組。這些高效的小型半導體元件可以大幅縮減最終產品的尺寸。

領先業界的SiC功率和閘極驅動器解決方案

詳細瞭解碳化矽半導體,以及其為何因SiC相較於其他材料的既有優勢而成為電力電子領域超具應用前景的材料。

與矽基替代材料相比,SiC的損耗更低、耐壓性更高、開關更快速、熱特性優異,因此能夠實現更高效、更小型、更輕量且更簡單的設計。

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