SiC功率元件

與傳統的矽元件相比,碳化矽(SiC)元件由於擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成為下一代低損耗半導體可行的候選元件。此外,SiC讓設計人員能夠減少元件的使用,可進一步降低設計的複雜程度。

SiC元件的低導通電阻特性有助大幅降低設備能耗,進而設計出可減少CO2排放量的環保型產品和系統。

羅姆在SiC功率元件和模組的開發領域處於領先地位,這些元件和模組在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。

第4代SiC MOSFET

新推出的第4代SiC MOSFET ,在不犧牲短路耐受時間的前提下,實現了業界超低導通電阻。另外,還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性,有助設備進一步實現節能化。

SiC技術應用

We confirmed its usefulness and benefit when using the 4th generation SiC MOSFET through an experimental test using a step-down DC-DC converter a simulated running test using an EV traction inverter, and an experimental test using a Totem-pole PFC circuit were conducted.

陣容

SiC相關產品

ROHM致力於開發適合驅動SiC元件的閘極驅動器IC,與SiC元件結合使用時,可以更大程度地發揮其特性。此外,羅姆還在開發內建SiC產品的IC,例如內建SiC MOSFET 的AC/DC轉換器控制IC

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