SiC功率元件 | 離散式元件 | 羅姆半導體集團

SiC功率元件

與傳統的矽元件相比，碳化矽（SiC）元件由於擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選元件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，可進一步降低設計的複雜程度。

SiC元件的低導通電阻特性有助大幅降低設備能耗，進而設計出可減少CO₂排放量的環保型產品和系統。

羅姆在SiC功率元件和模組的開發領域處於領先地位，這些元件和模組在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。

EcoSiC™是採用了性能上優於矽（Si）而在功率元件領域備受關注的碳化矽（SiC）的元件品牌。從晶圓生產到製程、封裝和品管，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外ROHM在製造過程中採用的是垂直整合生產體系，目前已經確立了在SiC領域的先進企業地位。
* EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

SiC Power Devices Brochure

[NEW] 2in1 SiC封裝模組「TRCDRIVE pack™」

TRCDRIVE pack™是牽引逆變器驅動用SiC封裝型模組的專用商標，擁有該商標的產品利用ROHM獨家結構，大幅擴大了散熱面積，實現了小巧型封裝。另外新產品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現了比競品SiC封裝型模組高1.5倍的業界頂級功率密度，非常有助xEV逆變器的小型化。
* TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

新聞稿

傳單

第4代SiC MOSFET

新推出的第4代SiC MOSFET ，在改進短路耐受時間的前提下，實現了業界超低導通電阻。另外，還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性，有助設備進一步實現節能化。

第4代SiC MOSFET open in new tab

SiC技術應用

介紹ROHM元件的採用案例以及與客戶的合作專案。

採用與合作案例

We confirmed its usefulness and benefit when using the 4^th generation SiC MOSFET through an experimental test using a step-down DC-DC converter a simulated running test using an EV traction inverter, and an experimental test using a Totem-pole PFC circuit were conducted.

Application Benefits of Using 4^th Generation SiC MOSFET s

陣容

	Package			Bare Die
	SiC MOSFET	SiC SBD	Full SiC Power Module	SiC MOSFET	SiC SBD
650V	✓	✓		✓	✓
750V	✓
1200V	✓	✓	✓	✓	✓
1700V	✓		✓		✓

SiC相關產品

ROHM致力於開發適合驅動SiC元件的閘極驅動器IC，與SiC元件結合使用時，可以更大程度地發揮其特性。此外，羅姆還在開發內建SiC產品的IC，例如內建SiC MOSFET 的AC/DC轉換器控制IC。

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