伺服器/資料中心
數位化轉型(DX)和AI的快速發展,為社會帶來了極大的便利,而支撐其運行的資料中心的耗電量卻持續攀升。
羅姆為了解決這一社會課題,已將融合多年來累積的“功率電子”和“類比”技術優勢,把大幅提高伺服器能效當作使命。其中伺服器總功耗中占比較大的“電源”效率提升,以及透過“馬達”驅動的冷卻系統進一步節能,是實現無碳社會的重要課題。
從領先業界的SiC(碳化矽)功率元件,到可實現高精度控制的類比IC以及各種Discrete元件,羅姆集這些產品的開發、生產製造、銷售於一體,為客戶提供前瞻性的解決方案。
羅姆的半導體技術可高水準兼顧客戶伺服器系統的“節能”和“小型化”需求,同時還有助提高可靠性。
羅姆將與客戶攜手共創永續發展數位化社會。
技術資訊
拓撲選擇
在設計電路尤其是電源電路時,由於輸入電壓、輸出電壓、功率和有無絕緣等參數會因應用產品而異,因此需要根據具體規格要求選擇合適的電路結構(拓撲)。另外拓撲不同,適合的元件也有所不同。如果元件選擇錯誤,將無法滿足規格要求,就必須重新進行電路設計。羅姆提供的拓撲選擇頁面可引導使用者為各種拓撲選擇合適的元件。
ROHM Solution Simulator
「ROHM Solution Simulator」是一款能在ROHM官網上運行的電子電路模擬工具。從零件選擇和元件單體驗證等研發初期階段到系統級的驗證階段,各項模擬工作都可以在Web上執行。
*需要註冊MyROHM方可使用。
產品相關資料
影片
適用於AI伺服器的100V耐壓功率MOSFET RY7P250BM(英文)
羅姆開發了適用於AI伺服器熱插拔電路的100V耐壓功率MOSFET“RY7P250BM”,該產品兼具高SOA耐受能力和低導通電阻。
二合一SiC封裝型模組 DOT-247(英文)
適用於光伏逆變器、UPS、半導體繼電器等領域的 2in1 結構 SiC 模組“DOT-247”。在繼承高通用性的“TO-247”的同時,實現了更高的設計自由度和功率密度。
SiC功率元件
羅姆已開始提供兼具低導通電阻和高速開關特性的第4代SiC MOSFET。(英文)
650V GaN | 技術解析(英文)
ROHM EcoGaN™ 功率產品是供電系統通訊和高可靠性的理想選擇。
ROHM Super Junction MOSFETs(英文)
ROHM在其高壓 (600V+) 功率 MOSFET中採用了Super Junction技術。
電流檢測解決方案(英文)
羅姆生產並供應電阻檢測型電流感測器IC用的運算放大器、電流檢測放大器以及分流電阻。 羅姆的電流感測器可進行高精度檢測,有助實現理想的能源管理。透過將磁場檢測型產品替換為電流檢測型產品,可大幅削減安裝面積,助力應用設備實現小型化和輕量化。
羅姆的長期供貨計畫(英文)
為了客戶能安心地選擇羅姆的半導體產品,羅姆制定了長期供貨計畫。