Rohm Breadcrumb

Rohm Newparametric

SiC電源模組

完全以碳化矽(SiC)來架構內建的功率半導體元件,切換損耗更大大地低於矽製(Si) IGBT模組配備SiC-SBD、SiC-MOSFET,因此動作速度高於傳統的Si-IGBT,可達到100KHz以上之高頻動作。
Node Image
FAQ