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常見問題
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  • 請說明SiC電源裝置的特徵。
    • SiC的介電強度約是Si的10倍,可承受上限為數千V的高電壓,另外,每單位面積的導通電阻非常小,功耗表現優異。
      為改善隨著高電壓而提高的導通電阻,Si主要使用IGBT,但有開關損耗大的問題。
      SiC在高速開關性能方面也有優異表現。
  • SiC-MOSFET並聯時,要注意什麼?
    • 電力配線等方面若不均等,電流與晶片溫度將不均衡。
      若不配合開關的時間點,將造成過電流破壞。
      Vgs(on)不夠高時,Ron的溫度特性將變成負數,電流集中至特定的晶片,會有熱失控破壞的危險。
  • SiC-MOSFET串聯時,要注意什麼?
    • ‧上側裝置的對地絕緣僅能保證裝置的絕緣耐電壓。
      需‧要串連數的閘極電壓用浮動電源。
      ‧串聯時,由於導通電阻的溫度係數為正數,為了防止熱失控,考量產品的誤差,請保留充分的電流降額。
      ‧以串聯作為高耐壓的單刀開關使用時,建議採取透過並聯插入高電阻等可適當分壓的對策。
      ‧若不校準開關的時間點,將造成過耐壓破壞。
  • SiC產品驅動時,閘極訊號為何會有過衝(Overshoot)與下衝(Undershoot)?
    • 機板的寄生電容與寄生電感等影響,可能產生LC共振,請確認下列項目。
      ①閘極驅動電路中之外接閘極電阻
      ②閘極驅動電路的輸出容量
      ③閘極驅動電路配線之寄生電感
      ④SiC-MOSFET的閘極容量
      ⑤SiC-MOSFET的內部閘極電阻等
      只要其中之一的電阻小,過衝、下衝的峰值將變大,而且振鈴的衰減費時。
      而且,電容大則峰值變小,開關速度變慢。
      電容大則峰值變大。
  • 使用SiC產品時,請指導抑制閘極訊號中過衝與下衝的方法?
    • 基板的寄生電容與寄生電感等影響,可能產生LC共振,請確認下列項目。
      ①增加閘極驅動電路中之外接閘極電阻
      ②減少閘極驅動電路的輸出容量
      ③減少閘極驅動電路配線之寄生電感
      電阻小則過衝、下衝的峰值將變大,而且振鈴的衰減費時。
      電容大則開關速度變慢。電感儘量小。
  • SiC-MOSFET、SiC模組產品的驅動閘極電壓偏離建議值(ON時+22V~+18V、OFF時-3V~-6V)會如何?
    • 若導通時的驅動閘極電壓低於15V,將無法充分導通,14V以下則導通電阻的溫度特性由正變負。
      如此一來若形成高溫則導通電阻下降,具有熱失控的危險性,必保持在15V以上。
      TZDB因為在40V以上,不擔心破壞閘極,但若持續施加超過DC額定(-6V/+22V)之電壓,由於存在於閘極氧化膜介面之Trap的影響,臨界值將慢慢變動。
      若是瞬間的突波電壓(300msec以內),由於臨界值電壓變動的影響小,若在-10V~+26V的範圍內則可承受。
  • SiC-MOSFET、SiC模組產品的驅動閘極電壓需要負偏壓嗎?
    • FETOFF狀態下,汲極電位上升時,由於閘極-汲極間電容的AC耦合現象,閘極電位有可能變高,作為代表性的應用是串聯驅動。
      為了預防誤動作ON所導致的短路破壞,建議使用負偏壓。
      閘極、源極間追加電容也能抑制閘極電位的上升。
      而且,將Miller Clamp MOSFET連接至閘-源極間,藉由確實的短路狀態,可預防閘極電位的上升。
      此外,Miller Clamp MOSFET的驅動請注意雜訊所引起的誤動作。
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