SiC蕭特基二極體

SiC蕭特基二極體(SiC SBD)具有很小的總電荷(Qc),低開關損耗且高速開關工作。因此,它被廣泛用於電源的PFC電路中。此外,與矽基快速恢復二極體的trr(反向恢復時間)會隨溫度的升高而增加不同,碳化矽(SiC)元件可保持恒定的特性,從而改善了電路性能。製造商能夠縮減工控設備和消費類子產品的尺寸,非常適合在功率因數校正電路和逆變器中使用。

SiC SBD用於提高電力轉換系統的可靠性,例如電池充電,電動車和混合動力車的充電電路以及太陽能電池板。 此外,它還被廣泛運用於X光生成裝置等高壓設備

羅姆已發佈第3代SiC SBD的SCS3系列能夠提供更大的浪湧電流容量,同時還能進一步降低第2代SBD的正向電壓。
SiC蕭特基二極體
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