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SiC蕭特基二極體

因為Total Capacitive Charge(Qc)小、故可減少切換損失、亦可達到高速切換。 另外、Si材料FRB (Fast Recovery Diode)的trr會因溫度上升而增加、但SiC卻不受溫昇影響, 幾乎可維持在一定的特性。
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