SiC蕭特基二極體

SiC蕭特基二極體（SiC SBD）具有很小的總電荷（Qc），低開關損耗且高速開關工作。因此，它被廣泛用於電源的PFC電路中。此外，與矽基快速恢復二極體的trr（反向恢復時間）會隨溫度的升高而增加不同，碳化矽（SiC）元件可保持恒定的特性，從而改善了電路性能。製造商能夠縮減工控設備和消費類子產品的尺寸，非常適合在功率因數校正電路和逆變器中使用。

羅姆已發佈第3代SiC SBD的SCS3系列能夠提供更大的浪湧電流容量，同時還能進一步降低第2代SBD的正向電壓。

SiC MOSFET、SiC SBD離散式封裝規劃進程

現有的封裝產品陣容以及正在開發的封裝。