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常見問題
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  • SiC-MOSFET串聯時,要注意什麼?
    • ‧上側裝置的對地絕緣僅能保證裝置的絕緣耐電壓。
      需‧要串連數的閘極電壓用浮動電源。
      ‧串聯時,由於導通電阻的溫度係數為正數,為了防止熱失控,考量產品的誤差,請保留充分的電流降額。
      ‧以串聯作為高耐壓的單刀開關使用時,建議採取透過並聯插入高電阻等可適當分壓的對策。
      ‧若不校準開關的時間點,將造成過耐壓破壞。
    • Products: SiC Power Devices , SiC MOSFET , SiC MOSFET Bare Die
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