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SiC MOSFET

原理上因為switching動作時沒有尾電流(tail current), 故可高速動作, 且降低切換損失。 Chip面積不需太大, 即可達成低導通電阻, 故可做到低電容量與低Gate charge。Si元件的導通阻抗會隨著溫度上升而增加2倍以上; SiC的導通阻抗增加量則相對較小, 對於產品的小型化與節能化有所貢獻。
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