SiC MOSFET

SiC MOSFET原理上在開關過程中不會產生拖尾電流,可高速運行且開關損耗低。低導通電阻和小型晶片尺寸造就較低的電容和閘極電荷。此外,SiC還具有如導通電阻增加量很小的優異的材料屬性,並且有比導通電阻可能隨著溫度的升高而上升2倍以上的矽(Si)器件更優異的封裝微型化和節能的優點。

ROHM發佈了第三代溝槽閘型SiC MOSFETSCT3系列。這些MOSFET提供6種版本(650V/1200V),其特點是導通電阻比第2代平面型產品小50%,這使其非常適合需要高效率的大型伺服器電源、UPS系統、太陽能轉換器以及電動車充電站。

SCT3系列以能夠更大限度提高開關性能的4引腳封裝(TO-247-4L)形式提供。與傳統3引腳封裝類型相比開關損耗最大可以減少35%,有助於在各種應用中降低功耗。此外,與傳統3引腳封裝SiC MOSFET中的閘極電壓因電源終端的電感元件而下降導致開關速度延遲不同的是,這種新型4引腳封裝包含的閘極驅動器電源終端與傳統電源終端分離,可更大限度減少閘極電壓的下降,從而能夠大幅度提高開關性能。
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