SiC MOSFET

SiC MOSFET

SiC MOSFET原理上在開關過程中不會產生拖尾電流,可高速運行且開關損耗低。低導通電阻和小型晶片尺寸造就較低的電容和閘極電荷。此外,SiC還具有如導通電阻增加量很小的優異的材料屬性,並且有比導通電阻可能隨著溫度的升高而上升2倍以上的矽(Si)器件更優異的封裝微型化和節能的優點。

第4代SiC MOSFET

新推出的第4代SiC MOSFET,在不犧牲短路耐受時間的前提下,實現了業界超低導通電阻。另外,還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性,有助設備進一步實現節能化。

Discrete封裝產品陣容

ROHM可供應帶有驅動器源極引腳的TO-263-7L(7pin SMD)TO-247-4L(4pin THD)封裝產品,可大幅發揮SiC MOSFET的高速開關性能。另外因為採用表面型封裝,可實現安裝工序自動化,有助提高生產效率。

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      Supporting Information

       

      第4代SiC MOSFET

      ROHM量產中的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業界超低導通電阻的產品,目前不僅可供應裸晶片,還可供應Discrete封裝形式的產品。

      特點

      1.不須犧牲短路耐受時間,實現業界超低導通電阻

      在第4代碳化矽MOSFET中,透過進一步改進羅姆自有的雙溝槽結構,成功地以不犧牲主驅逆變器等要求的短路耐受時間為前提,使導通電阻比以往產品降低約40%。實現了碳化矽MOSFET產品的業界超低導通電阻。

      2.通過大幅降低寄生電容,實現更低開關損耗

      第4代碳化矽MOSFET通過大幅降低柵漏電容(Cgd),成功使開關損耗比以往產品降低約50%。

      3.支援15V柵源驅動電壓,使應用產品的設計更容易

      在MOSFET中,需要在器件ON時向電晶體的柵極施加一定量的電壓。除了到第3代碳化矽MOSFET為止所支援的18V柵源驅動電壓(Vgs)外,第4代碳化矽MOSFET還支援更容易處理的15V柵源驅動電壓,可與IGBT一起用來設計驅動電路(柵極驅動電路)。

      On-resistance comparison
      Switching loss comparison
       

      應用範例:主驅逆變器

      有助於包括車載逆變器和各種開關電源在內,各種應用產品實現顯著的小型化和更低功耗,比如在用於車載主驅逆變器時,與使用IGBT時相比,效率可以得到顯著提升,主要體現在逆變器的高扭矩和低轉速範圍,從而可使電耗減少6%(按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算)。

      應用範例:主驅逆變器

       

      第4代SiC MOSFET 支援資訊

      評估板

      Evaluation board
      4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001是一款可評估採用TO-247N/TO-247-4L封裝的第4代SiC MOSFET的評估板。該評估板中配有閘極驅動器和週邊電路,可有效減少設計和評估工時。

      Evaluation board
      P05SCT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test (ROHM Solution Simulator)

      我們對評估板進行了建模作業,並在線上模擬器中為第4代SiC MOSFET準備了雙脈衝測試環境。 可以透過模擬評估工作電壓、柵極驅動電路、緩衝電路常數等引起的開關波形,並有助於減少實機評估的工時,以及用於對寄生電感的效果評估等。(需要註冊MyROHM)。

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Design Model

      Part NumberDrain-source Voltage[V]Drain-source On-state Resistance
      (Typ.(mΩ)
      PackageSPICE
      Model
      Thermal
      Model
      PLECS
      Model
      PCB
      Library
      SCT4045DE75045
      TO-247N
      AvailableAvailable-
      SCT4026DE26AvailableAvailable-
      SCT4013DE
      (under development)
      13----
      SCT4062KE120062AvailableAvailable-
      SCT4036KE36AvailableAvailable-
      SCT4018KE
      (under development)
      18----
      SCT4045DR75045
      TO-247-4L
      AvailableAvailableAvailable
      SCT4026DR26AvailableAvailableAvailable
      SCT4013DR13AvailableAvailableAvailable
      SCT4062KR120062AvailableAvailableAvailable
      SCT4036KR36AvailableAvailableAvailable
      SCT4018KR18AvailableAvailableAvailable
      SCT4045DW775045
      TO-263-7L
      ----
      SCT4026DW726----
      SCT4013DW7
      (under development)
      13----
      SCT4062KW7120062----
      SCT4036KW736----
      SCT4018KW7
      (under development)
      18----

      Simulations (Login Required)

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

       

      SiC MOSFET 支援資訊

      評估板

      CategorySiC ProductImagePart No.User GuidePurchase
      Board
      SiC-MOS Evaluation
      Board
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-NNEW
      P04SCT4018KE-EVK-001
      User Guide
      Product Specification
      Contact Us
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4LNEW
      P05SCT4018KR-EVK-001
      Contact Us
      SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4LP02SCT3040KR-EVK-001 User Guide
      Product Specification
      Online
      Distributors
      SCT2XXX series Planar(2nd Generation) TO-247-4LP01SCT2080KE-EVK-001Contact Us

      Documents

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      Application Note

      Technical Articles

      Schematic Design & Verification

      Thermal Design

      Models & Tools

      Simulations (Login Required)

      「ROHM Solution Simulator」是一款能在ROHM官網上運行的電子電路模擬工具。從零件選擇和元件單體驗證等研發初期階段到系統級的驗證階段,各項模擬工作都可以在Web上執行。ROHM提供的SiC元件等功率元件產品、驅動IC和電源IC等IC產品,都可以在接近實際環境的解決方案電路中輕易地進行驗證,大幅縮短研發週期。

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

      Application

      Topology

      Related Product