SCT4013DE

1200V, 105A, 3引腳THD, 溝槽結構, SiC MOSFET
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SCT4013DE

SCT4013DE
1200V, 105A, 3引腳THD, 溝槽結構, SiC MOSFET

SCT4013DE是有助於應用產品實現小型化和更低功耗的SiC MOSFET。

ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受時間並實現了業界超低導通電阻的第4代產品。與以往產品相比，該系列產品的導通電阻降低了約40%，開關損耗降低了約50%。另外，該產品還支持更容易處理的15V柵-源電壓，使應用產品的設計更容易。

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* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
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Product Detail

 
料號 | SCT4013DEC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247N
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes
長期供貨計畫 | 10 Years

規格:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

13

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

105

Total Power Dissipation[W]

312

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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