GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和高效率的各種電力電子系統提供理想解決方案。該產品結合了次世代功率元件GaN HEMT，以及為了大幅發揮GaN HEMT性能而進行優化的閘極驅動器於一體，支援2.5V～30V輸入電壓範圍，可以與各種控制器IC結合使用。這些特性和優勢能取代SJ MOSFET等傳統Discrete功率開關。

ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN™系列」，致力進一步提高元件性能。ROHM不僅致力於元件開發，還與業界相關企業積極建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，透過提升應用產品效率和實現小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。