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電晶體是什麼? 電晶體是什麼?

 

電晶體ON時的逆向電流相關資訊

電晶體ON時的逆向電流相關資訊

以NPN電晶體來說,基極(B)為正極、集極(C)為負極,分別對其施加偏壓電流,然後由射極(E)到C則會有逆向電流產生。 請檢討在使用上是否會有任何問題。

1. 無品質劣化及產品損壞的疑慮,使用上並無任何問題。

2. 使用NPN-Tr時,與B對稱的C、E必須皆為N型。因此,即使C、E接反,仍能作為電晶體使用。
亦即電流的流動方向為E → C。

一般動作 / 逆向動作

3.逆向電晶體的特色如下:

  • hFE較低。(約順向電壓的10%以下)
  • 不具備高耐壓性。(電壓約為7 to 8V,和VEBO差不多低) ←若使用汎用型TR電晶體時,除了上述條件外,亦可能會有電壓小於5V的情形發生。
    (超過此耐壓值時,將造成電壓崩潰(Breakdown),因而發生hFE過低等特性不佳的情形,此點需特別注意。)
  • VCE(sat)和VBE(ON)的特性幾乎不變。

關於封裝功率的額定功率

定義:若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗,因而造成元件發熱時,接合面(junction)溫度:Tj到達絕對最大額定值所規定的溫度(Tj = 150°C)時的功率。

計算方法:將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx,由此可得

計算方法

上述計算公式中的Pc、Ta、△ Tx、Px可分別根據測量時的設定值或是測量結果直接求出,但只有Tj無法直接計算出來。 因此,必須採用下列運用VBE之測量方法。

VBE測量法 使用矽電晶體時 基極-射極間電壓:VBE將依溫度而改變。

圖1

由此可知,只要測量VBE,即可根據測量結果推測出接合面溫度。
根據圖1的測量電路,將封裝功率:Pc (max)施加至電晶體(假設所使用的電晶體為1W時,必須根據VCB = 10VIE = 100mA的條件來施加電壓)

如圖2所示,

  • 以VBE為初始值測量出VBE1。
  • 將電壓施加至電晶體,並使接合面熱飽和。
  • VBE 之after值:測量VBE

完成上述步驟後,即可求得△VBE=VBE2-VBE1。

BE,如此便能夠利用下列公式計算出接合面上升的溫度。

圖2

fT:增益頻寬乘積、遮斷頻率之相關說明

fT:所謂「增益頻寬乘積」就是電晶體可動作的邊界頻率。
所謂「邊界」是指集極電流與基極電流的比為1 (亦即hFE=1)時的狀態。

頻率特性

當基極輸入頻率(動作頻率)變大時,hFE就會變低,當hFE變為1時的頻率就稱之為fT:(增益頻寬乘積),而「fT」就是上述頻率可動作的邊界值。
不過,實際使用時,可動作的fT值則約為1/5 to 1/10左右。

测定条件如下
f:根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
Ic:任意设定。我公司为一般值。

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