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導通電阻

 

何謂導通電阻?

MOSFET工作(啟動)時,汲極-源極間的阻值稱為導通電阻 (RDS(ON))。
數值越小,工作時的損耗(功率損耗)越小。

關於導通電阻的電氣特性

電晶體的消耗功率用集極飽和電壓(VCE(sat))乘以集極電流(IC)表示。

(集極損耗PC)=(集極飽和電壓VCE(sat) )x(集極電流IC
MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻(RDS(ON))計算。
MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流(ID)的平方表示。
(功率PD)=(導通電阻RDS(ON) ) x (汲極電流ID2
此功率將變成熱量散發出去。
MOSFET的導通電阻一般在Ω極以下,與一般的電晶體相比,消耗功率小。即發熱小,散熱對策簡單。

導通電阻-閘極源極間電壓特性、導通電阻-接合面溫度特性

如左上圖所示,閘極源極間電壓越高,導通電阻越小。另外,閘極源極間電壓相同的條件下,導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時,需要考慮閘極源極間電壓和汲極電流,選擇適合的導通電阻。
另外,如右上圖所示,導通電阻因溫度變化而變化,因此需要注意這一特性。

導通電阻比較

一般MOSFET的晶片尺寸(表面面積)越大,導通電阻越小。
下圖顯示了不同尺寸的小型封裝條件下,羅姆最小導通電阻值的比較。
封裝尺寸越大可搭載的晶片尺寸就越大,因此導通電阻越小。
羅姆針對各種不同的封裝尺寸,備有低導通電阻的產品。
選擇更大尺寸的封裝,導通電阻會更小。

導通電阻比較

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DFN0604 (0.6x0.6mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)

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