什麼是半導體記憶體? 元件原理<SRAM>
儲存單元構造
- 由6個電晶體單元組成
- 由4個電晶體單元(高阻抗負載型單元)組成
寫入資料的方式
<為"1"時>
- 字元線電位為 high
- 傳送Bit線的電位(D=low, D=high) → 它確定正反器的狀態
- 字元線電位為 low
讀取資料的方式
<為"1"時>
- 字元線電位為 off
- 預充Bit線(D, D相同電位)
- 字元線電位為 high
- Bit線的狀態為 low, high
- 利用感測放大器增幅
利用正反器電路記憶 "1"、"0"
<為"1"時>
<為"1"時>
利用正反器電路記憶 "1"、"0"