tr_what8

  1. >
  2. >

電晶體是什麼? 負載開關

 

關於負載開關為ON時的突波電流

負載開關為ON的瞬間,一時之間會流過比恆定電流還大的電流。輸出側的負載容量CL的電荷接近0時,輸出Vo加入電壓的瞬間,會流過大量的充電電流。
像這樣流過過大的電流,稱之為突波電流(Rush current)。
突波電流的峰值幾乎以輸入電壓Vi和MOSFET Q1的Rds(on)和負載容量CL的ESR決定,輸入電壓Vin變大量時,該程度的電流也會變多。
另外,若超過最大額定電流,可能會導致破壞問題。
追加和接續在MOSFET Q1的閘極、源極之間的電阻R1並列的電容器C2,並藉由關閉Q1的閘極電壓,可讓Rds(on)慢慢變小,並抑制突波電流。

■負載開關等價電路圖

負載開關等價電路圖

關於Nch MOSFET的負載開關為ON時的突波電流對策

■Nch MOSFET負載開關等價回路圖

Nch MOSFET負載開關:RSQ020N03
Vin=5V, lo=1A, Q1_1G=1V→12V

  • Q2 OFF時,負載SWQ1為ON。(Q1的閘極電壓為Vo(VgsQ1)以上。)
  • Q2 ON時,負載SWQ1為OFF。
  • Q1為ON時,會流出突波電流的關係,將追加C2作為對策。

Nch MOSFET負載開關等價回路圖

關於Nch MOSFET的負載開關為ON時的突波電流對策

即使負載開關Q1從ON改為OFF,根據輸出側的負載容量CL,出力Vo端子的電壓會殘留一定時間。
若輸入Vi側的電壓比輸出V0測還差,由於MOSFET Q1的汲極、源極之間存在寄生二極體,透過寄生二極體,電流可能會從輸出Vo側逆流至輸入Vin側。
必須注意不可超過MOSFETQ1的電流額定值。
關於輸入旁路電容器CIN的容量值,須確實檢討包含負荷側條件在內的開啟時機後決定。

■負載開關等價電路圖

結合溫度的計算方法

MOSFET前往詳細產品頁面

サイドナビ - エレクトロニクス豆知識(sidemenu)

電子小百科

何謂USB Power Delivery?

何謂Application Note?

電子小百科:共通CSS