什麼是IGBT？IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）
什麼是IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）？
IGBT為 "Insulated Gate Bipolar Transistor"截取第一個字母的縮寫，又稱為絕緣閘極雙極性電晶體。
IGBT歸類在功率半導體元件的電晶體領域。
功率半導體元件的特色
功率半導體元件（電晶體領域）除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關。
從各自可因應的開關速度來看，中頻用BIPOLAR，高頻用MOSFET。
IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件，採用複合式構造，除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外，也是同時具備低飽和電壓（相當於功率MOSFET的低導通電阻）、較快速切換特性的電晶體。
但是，即使切換較為快速，和功率MOSFET比較仍然相形見絀，這是IGBT的弱點。
【功率元件基本構造和特色】
| MOSFET | BIPOLAR | IGBT | |
| 基本構造 |  |
 |
 |
| 控制 | 閘極電壓 | 基極電流 | 閘極電壓 |
| 額定電流 | ✕ | △ | ○ |
| 開關 | ○ | ✕ | △ |
| 導通電阻 | ✕ | △ | ○ |
- MOSFET
- 由Metal（金屬）- Oxide（氧化物）- Semiconductor（半導體）的三層構造造成 Field-Effect Transistor（場效電晶體）結構的半導體元件。
- BIPOLAR
- 使用雙極性（bipolar）元件，將p型和n型這2種半導體組成n-p-n、p-n-p，因此又稱為電流工作型的電晶體。
