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什麼是IGBT?IGBT(絕緣閘極雙極性電晶體)

 

什麼是IGBT(絕緣閘極雙極性電晶體)?

IGBT為 "Insulated Gate Bipolar Transistor"截取第一個字母的縮寫,又稱為絕緣閘極雙極性電晶體。
IGBT歸類在功率半導體元件的電晶體領域。

功率半導體元件的特色

功率半導體元件(電晶體領域)除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導體開關。
從各自可因應的開關速度來看,中頻用BIPOLAR,高頻用MOSFET。
IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件,採用複合式構造,除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外,也是同時具備低飽和電壓(相當於功率MOSFET的低導通電阻)、較快速切換特性的電晶體。
但是,即使切換較為快速,和功率MOSFET比較仍然相形見絀,這是IGBT的弱點。

【功率元件基本構造和特色】
  MOSFET BIPOLAR IGBT
基本構造 MOSFET BIPOLAR IGBT
控制 閘極電壓 基極電流 閘極電壓
額定電流
開關
導通電阻
MOSFET
由Metal(金屬)- Oxide(氧化物)- Semiconductor(半導體)的三層構造造成 Field-Effect Transistor(場效電晶體)結構的半導體元件。
BIPOLAR
使用雙極性(bipolar)元件,將p型和n型這2種半導體組成n-p-n、p-n-p,因此又稱為電流工作型的電晶體。

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