如何活用GaN功率元件
要想徹底發揮GaN HEMT高速開關的性能，需要具備能夠充分掌握GaN HEMT的關鍵技術，這一點非常重要。具體而言，是需要超高速驅動閘極驅動器IC，和支援高速脈衝控制的控制器IC。
為了解決這個課題，ROHM推出了將GaN HEMT和閘極驅動器IC一體化封裝的“Power Stage IC”產品。
使用Power Stage IC，無需進行繁瑣的驅動調整，可以輕鬆替換Si MOSFET。
Power Stage IC概要
GaN HEMT和閘極驅動用驅動器IC一體化封裝
無需進行繁瑣的驅動調整，可大幅發揮GaN HEMT的性能
減少相關元件的數量
半導體製造商ROHM生產的Power Stage IC內建相關週邊元件，有助減少元件數量和安裝面積，並降低安裝成本。
