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什麼是半導體記憶體？ 原理裝置＜Mask ROM＞

Mask ROM儲存單元構造

  • 為了能夠高度積層化而組成 NAND 構造。（1個電晶體單元）

Mask ROM儲存單元構造

寫入資料的方式

在製造晶圓(Wafer)時寫入資料

  • "1"：將負離子植入電晶體
  • "0"：未植入負離子

讀取資料的方式

讀取單元的字元線設為0V
讀取單元以外的字元線設為Vcc
→ 施加電壓到Bit線上，
若有電流流過，將判斷為"1"

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