什麼是GaN？
GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）是由Ga（鎵）元素和N（氮）元素組成的化合物半導體材料。
化合物半導體是一種由兩種或兩種以上的元素結合在一起的半導體。
其他化合物半導體還有SiC（Silicon Carbide：碳化矽）、GaAs（Gallium Arsenide：砷化鎵）和InAs（Indium Arsenide：砷化銦）等。
與Si的物理特性相比，GaN在高溫工作、高速工作、工作極限電壓和低功耗等方面都具有更出色的物理特性。
另外，與Si相比，GaN和SiC的能隙更寬，被稱為“寬能隙半導體”。能隙越寬，可以實現的耐壓能力越高。
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Electron Mobility(cm2/Vs)：GaN（2DEG=2Dimensional Electron Gas） 1500~2000
什麼是能隙？
電子所能具有的能量是與被稱為“能級”的電子軌道（s軌道、p軌道）相對應的特定值。這個能級的範圍稱為“能帶”。
其中，能級高的能帶稱為“導帶”，能級低的能帶稱為“價帶”。
另外，能帶之間不允許電子存在的範圍是“禁帶”，導帶底與價帶頂之間的能級差稱為“能隙”。
換句話說，能隙是電子從價帶遷移到導帶所需的能量。
Si的能隙為1.12eV，SiC的能隙為3.26eV，GaN的能隙為3.5eV，其中GaN的能隙值最大。
能隙的單位是eV（電子伏特），定義是“一個電子經過1伏特的電壓加速後所獲得的動能”，1[eV]≒1.602×10-19[J]
當溫度升高時，會發生熱能導致電子從價帶遷移到導帶的現象（意料之外）。
寬頻隙半導體GaN和SiC需要比Si更高的熱能才會發生電子遷移。因此，GaN和SiC可以實現更高耐壓。
