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ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓!

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品,透過將散熱面置於封裝頂部的結構,實現了與插裝型封裝(TO-247-4L)同等級的散熱性能。將該元件運用於電動車(xEV)車載充電器(OBC)和電動壓縮機等應用時,有助提升功率轉換電路的效率和可靠性。

TSC3PAK Package

新產品透過ROHM獨家溝槽設計,確保了業界最高等級6.66mm的沿面距離*1 。此外,新產品不僅與市場上常見封裝相容,同時實現了污染等級2級*2 環境下1200V交流峰值電壓耐受能力。因此在高耐壓應用中可實現安全的絕緣設計,助力降低安裝成本並提高可靠性。

另外透過ROHM第4代SiC MOSFET,更實現了低導通電阻和高速開關特性,使功率轉換時的開關損耗大幅降低,有助應用產品進一步提高效率並更加節能。

新產品已於2026年6月開始量產(樣品價格:5500日元/個,未稅),並已開始透過電商平台進行銷售。此外ROHM官網亦提供模擬模型,助力客戶快速進行電路評估。

今後ROHM將進一步擴充SiC MOSFET產品陣容,為電子設備的更高性能、更小體積與更高可靠性提供支援。

※2026年7月9日 ROHM調查

Part No. for Consumer Data
Sheet
Part No. for Automotive
(AEC-Q101 Qualified)
Data
Sheet
VDSS (Max.)
[V]
RDS(ON) (Typ.)
[mΩ]
ID (Max.)
[A]
NewSCT4013DTW PDF NewSCT4013DTWHR PDF 750 13 102
NewSCT4020DTW PDF NewSCT4020DTWHR PDF 20 69
NewSCT4026DTW PDF NewSCT4026DTWHR PDF 26 54
NewSCT4036DTW PDF NewSCT4036DTWHR PDF 36 40
NewSCT4045DTW PDF NewSCT4045DTWHR PDF 45 33
NewSCT4065DTW PDF NewSCT4065DTWHR PDF 65 24
NewSCT4018KTW PDF NewSCT4018KTWHR PDF 1200 18 79
NewSCT4027KTW PDF NewSCT4027KTWHR PDF 27 54
NewSCT4036KTW PDF NewSCT4036KTWHR PDF 36 41
NewSCT4050KTW PDF NewSCT4050KTWHR PDF 50 31
NewSCT4062KTW PDF NewSCT4062KTWHR PDF 62 25
NewSCT4090KTW PDF NewSCT4090KTWHR PDF 90 18

<開發背景>

電動車(xEV)為了提高充電速度並延長續航里程,除了主驅逆變器外,SiC元件在車載充電器(OBC)和電動壓縮機等的功率轉換電路中的應用也在不斷擴大。另外在工業設備領域,SiC則有助高性能伺服器電源和PV Inverter等高效工作,因此相關應用也持續成長。傳統的SiC元件為了在大功率運行時有效散熱,主要採用的是散熱性能優異的插裝型封裝。但是插裝型封裝不僅涉及手工安裝程序,還有因封裝形狀限制而難以實現薄型化的問題。因此近年來可自動安裝的表面安裝型SiC元件開始普及。本次新產品採用的正是表面安裝型封裝,同時也實現了與TO-247等插裝型封裝同等級的散熱性能。

<應用示例>

  • 車載設備:車載充電器(OBC)、電動壓縮機 等
  • 工業設備:PV Inverter、伺服器電源 等

<關於「EcoSiC™」品牌>

EcoSiC™為採用性能優於矽(Si)、並在功率元件領域備受關注的碳化矽(SiC)的元件品牌。從晶圓生產到製程、封裝和品管,ROHM持續自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外ROHM在製造過程中採用了垂直整合生產體制,因此確立了SiC領先企業的地位。

EcoSiC™ Logo

EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

<名詞解釋>

*1)沿面距離
兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。在半導體設計中,為了防止觸電、漏電、半導體產品短路,需要採取確保沿面距離和電氣間隙的絕緣對策。
*2)污染等級2級
污染等級2級相當於家庭和辦公室等常見的環境,即僅存在乾燥的非導電污染物的狀態。污染等級是確定元件的電氣間隙和沿面距離時會產生影響的環境等級,根據污染物質的有無、數量和狀態分為1~4級。