SCT4026DTWHR (新產品)
750V、54A、9針SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
SCT4026DTWHR (新產品)
750V、54A、9針SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
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Description
本產品是一款採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK具有頂部散熱結構，其散熱表面位於封裝頂部，因此能夠在保持表面安裝設計的同時，實現與傳統通孔封裝相當的散熱性能。此外，ROHM獨特的溝槽結構確保了6.66mm的爬電距離，可在污染度2的環境下支援1200V的交流峰值電壓。這有助於在高壓應用中實現安全的絕緣設計和更高的可靠性。此外，本產品還實現了低導通電阻和高速開關，有助於提高功率轉換電路中的效率和降低功耗。非常適合xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及PV逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
54
Total Power Dissipation[W]
163
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 符合AEC-Q101標準
- 寬爬電距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 快速開關速度
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍 ; 符合RoHS指令
