SCT4018KTWHR (新產品)
1200V、79A、9引腳SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
SCT4018KTWHR (新產品)
1200V、79A、9引腳SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
Quick Download
Description
本產品是採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK具有頂部散熱結構，散熱表面位於封裝頂部，可實現與傳統通孔封裝相當的散熱性能，同時保持表面貼裝設計。此外，ROHM獨特的溝槽結構確保了6.66mm的爬電距離，使其在汙染等級2環境中支援1200V的AC峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計和更高的可靠性。此外，本產品實現了低導通電阻和高速切換，有助於提高功率轉換電路效率並降低功耗。非常適合電動車輛中的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
79
Total Power Dissipation[W]
294
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 符合AEC-Q101標準
- 寬爬電距離=最小6.66mm
- 低導通電阻
- 高速開關
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍;符合RoHS標準
