SCT4065DTWHR (新產品)
750V、24A、9腳SMD、溝槽式結構、車用碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4065DTWHR (新產品)
750V、24A、9腳SMD、溝槽式結構、車用碳化矽(SiC) MOSFET
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Description
此產品為採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂面散熱結構，散熱面位於封裝頂部，可在維持表面安裝設計的同時，實現與傳統通孔封裝相當的散熱性能。此外，ROHM獨特的溝槽結構可確保6.66mm的沿面距離，可在污染等級2的環境中支援1200V的AC峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計和更高可靠度。此外，此產品實現低導通電阻和高速切換，有助於提高電源轉換電路的效率和降低功耗。非常適用於xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
24
Total Power Dissipation[W]
81
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 符合AEC-Q101標準
- 沿面距離寬 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 高速切換
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
