SCT4020DTWHR (新產品)
750V、69A、9引腳SMD、溝槽結構、車用碳化矽(SiC)MOSFET
SCT4020DTWHR (新產品)
750V、69A、9引腳SMD、溝槽結構、車用碳化矽(SiC)MOSFET
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Description
本產品採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂部散熱結構，散熱面位於封裝頂部，在維持表面安裝的同時，其散熱性能可與傳統通孔封裝媲美。此外，ROHM獨有的溝槽結構確保了6.66mm的沿面距離，可在污染度2的環境中支持1200V的AC峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計和更高的可靠性。此外，本產品實現了低ON電阻和高速切換，有助於提高功率轉換電路效率並降低功耗。它是xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源的理想選擇。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
20
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
69
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 符合AEC-Q101標準
- 寬沿面距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 高速切換
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍；符合RoHS
