SCT4062KTWHR (新產品)
車用1200V, 25A, 9引腳SMD溝槽型SiC MOSFET
SCT4062KTWHR (新產品)
車用1200V, 25A, 9引腳SMD溝槽型SiC MOSFET
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Description
本產品為採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂部散熱結構，散熱面位於封裝頂部，因此在保持表面貼裝設計的同時，可實現與傳統直插式封裝媲美的散熱性能。另外，ROHM獨特的溝槽結構設計確保了6.66mm的爬電距離，可在污染度為2的環境中支援1200V的AC峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計並提高可靠性。此外，本產品還實現了低導通電阻和高速開關，有助於提高電源轉換電路效率並降低功耗。非常適用於xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及PV變流器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
62
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 通過AEC-Q101認證
- 爬電距離寬 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 開關速度快
- 反向恢復快
- 易於並聯使用
- 驅動簡單
- 無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
