SCT4027KTW (新產品)
1200V, 54A, 9-pin SMD, 溝槽結構, SiC MOSFET
SCT4027KTW (新產品)
1200V, 54A, 9-pin SMD, 溝槽結構, SiC MOSFET
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Description
本產品採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂部散熱結構，散熱面位於封裝頂部，因此在保持表面貼裝設計的同時，實現了與傳統穿孔式封裝相當的散熱性能。此外，ROHM獨有的溝槽結構確保了6.66mm的沿面距離，可在汙染等級2環境下支援1200V的AC峰值電壓。這有助於高電壓應用的安全絕緣設計和更高可靠性。此外，本產品實現了低導通電阻和高速開關，有助於提高電源轉換電路的效率並降低功耗。非常適用於xEV的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
27
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
54
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Features
- 寬沿面距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 高速開關
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍; 符合RoHS標準
