SCT4018KTW (新產品)
1200V, 79A, 9引腳SMD，溝槽結構，碳化矽 (SiC) MOSFET
SCT4018KTW (新產品)
1200V, 79A, 9引腳SMD，溝槽結構，碳化矽 (SiC) MOSFET
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Description
此產品為採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂部散熱結構，散熱面位於封裝頂部，在保持表面貼裝設計的同時，實現了與傳統通孔封裝相當的散熱性能。此外，ROHM專有的溝槽結構確保了6.66mm的爬電距離，在汙染等級2環境下可支援1200V的交流峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計和更高的可靠性。此外，該產品實現了低導通電阻和高速開關，有助於提高功率轉換電路效率和降低功耗。非常適用於xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
79
Total Power Dissipation[W]
294
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Features
- 寬爬電距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 快速開關速度
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍；符合RoHS標準
