SCT4045DTW (新產品)
750V, 33A, 9引腳SMD，溝槽結構碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4045DTW (新產品)
750V, 33A, 9引腳SMD，溝槽結構碳化矽(SiC) MOSFET
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Description
本產品為TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂部散熱結構，散熱表面位於封裝頂部，可在保持表面貼裝設計的同時，實現與傳統穿孔封裝媲美的散熱性能。此外，ROHM專有的溝槽結構確保了6.66mm的爬電距離，可在污染等級2的環境中支援1200V的AC峰值電壓。這有助於高壓應用中的安全絕緣設計和更高的可靠性。此外，本產品實現了低導通電阻和高速切換，有助於提高電源轉換電路的效率和降低功耗。非常適合電動車的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
45
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
33
Total Power Dissipation[W]
106
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Features
- 寬爬電距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 高速切換
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
