SCT4036DTWHR (新產品)
750V, 40A, 9引腳SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
SCT4036DTWHR (新產品)
750V, 40A, 9引腳SMD、溝槽結構、車電用SiC MOSFET
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Description
本產品為採用TSC3PAK封裝的SiC MOSFET。TSC3PAK採用頂面散熱結構，散熱面位於封裝頂部，在保持表面安裝設計的同時，實現了與傳統通孔封裝相當的散熱性能。此外，ROHM專有的溝槽結構確保了6.66mm的沿面距離，可在2級污染環境中支援1200V的交流峰值電壓。這有助於高壓應用中安全絕緣設計和更高的可靠性。此外，本產品實現了低導通電阻和高速開關，有助於提高功率轉換電路中的效率並降低功耗。它是xEV中的車載充電器和電動壓縮機，以及光伏逆變器和伺服器電源的理想選擇。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
128
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Features
- 符合AEC-Q101標準
- 寬沿面距離 = 最小6.66mm
- 低導通電阻
- 快速開關速度
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍;符合RoHS標準
