SuperJunction MOSFET

羅姆的高壓(600V~)功率MOSFET產品採用了超接合面(Super Junction)技術。
該技術實現了高速開關和低導通電阻,可以減少應用損耗。
羅姆有低雜訊和高速開關兩類產品,可以根據客戶的需求進行提案。
此外,PrestoMOS系列採用了羅姆的專利技術,內置了業界最速等級的二極體,有助於馬達和逆變器的節能效果。

推薦使用羅姆的SuperJunction-MOSFET的三個理由

  • ①根據客戶需求提供三種產品系列
  • ②每種系列提供豐富的導通電阻和封裝陣容
  • ③高性能、高品質、完善的支援體制

[NEW]600V耐壓 SuperJunction(超接合面) MOSFET PrestoMOS™ R60xxVNx系列

ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”擁有業界最快的反向恢復時間,非常適用於電動車充電樁、伺服器和基地台等需要大功率的工控設備電源電路、以及空調等大型家電的馬達驅動,本次還新增了支援大功率應用的“R60xxVNx系列”7款機型。
除上述系列外,已實現高速開關和業界超低導通電阻的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxYNx 系列”中,也新增了2款機型。

產品新聞

羅姆的SuperJunction-MOSFET

●更大的耐壓範圍和更低的導通電阻

 500mΩ ≤ Ron typ.500mΩ < Ron typ.
 Active New!Active New!
800VR80xxKNx  R80xxKNx  
650VR65xxENx R65xxKNx  R65xxENx R65xxKNx Under
Planning
600VR60xxENx R60xxKNx Under
Development
R60xxENx R60xxKNx R60xxYNx
R60xxJNx Under
Development
R60xxJNx R60xxVNx
  • :低雜訊
  • :高速開關
  • :內置高速二極體
  • :第4代通用型
  • :內建第4代高速二極體

●可以選擇六種封裝

SeriesPackage
Surface Mount TypeInsertion Type
TO-252
[DPAK]
LPTS
[D2PAK]
TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK]TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
800VR80xxKND3  R80xxKNX R80xxKNZ4
650VR65xxEND3R65xxENJ R65xxENXR65xxENZR65xxENZ4
R65xxKND3R65xxKNJR65xxKNX3R65xxKNXR65xxKNZR65xxKNZ4
600V
Gen.4
New
R60xxYND3  R60xxYNX3 R60xxYNXR60xxYNZ R60xxYNZ4
R60xxVND3  R60xxVNX3R60xxVNX R60xxVNZ4
600V
Gen.3
R60xxEND3R60xxENJ R60xxENXR60xxENZR60xxENZ4
R60xxKND3R60xxKNJ R60xxKNXR60xxKNZR60xxKNZ4
R60xxJND3R60xxJNJ R60xxJNXR60xxJNZR60xxJNZ4
  • :低雜訊
  • :高速開關
  • :內置高速二極體
  • :第4代通用型
  • :內建第4代高速二極體

●在各種應用裝置中被採用,不僅在特性面,還在品質和支援體制面得到了高度評價

在各種應用裝置中被採用,不僅在特性面,還在品質和支援體制面得到了高度評價

簡易搜索工具

 

何謂PrestoMOS

PrestoMOS是採用羅姆專利技術將SuperJunction-MOSFET的寄生二極體高速化的產品。通常,SuperJunction-MOSFET的寄生二極體因其特有的內部結構,比一般的MOSFET,回復性能差。因此,以往SuperJunction-MOSFET不能用於經常性使用寄生二極體的電路,如逆變器和橋式PFC電路。
PrestoMOS已針對寄生二極體高速化,可以克服SuperJunction-MOSFET的弱點,有助於使用馬達驅動用逆變器或橋式電路的應用大幅節能。

何谓PrestoMOS

由於近年的來節能趨勢,用PrestoMOS替代廣泛用於逆變器的IGBT + FRD組合的例子正在增加。由於具有出色的回復特性,有助於應用的節能。

替换使用PrestoMOS,实现节能!

第4代 PrestoMOS R60xxVNx 系列

  
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
VDS
(V)
Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V
trr typ
(ns)
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
60025065R6013VND3R6013VNX  
17068 NEWR6018VNX  
12780 NEWR6024VNXNEWR6024VNX3 
9592 NEWR6035VNXNEWR6035VNX3 
59112 R6055VNXR6055VNX3NEWR6055VNZ4
42125   NEWR6077VNZ4
22167   R60A4VNZ4

推薦應用

  • 馬達驅動
  • 節能大型家電
  • 充電樁
  • 太陽能電池功率調節器
  • 各種電源電路(LLC/圖騰柱PFC/全橋)
推薦應用

業界頂級的反向恢復特性

ROHM的PrestoMOS™系列採用ROHM獨家專利技術,提高了寄生二極體的反應速度,使關鍵特性—反向恢復時間(trr)達到了業界最快水準。通常,該特性會因微細化和升級換代而受損,但ROHM的第4代PrestoMOS™ R60xxVNx系列透過結構優化,在保持業界最快trr的同時,還改善了導通電阻等基本性能。 業界最快的trr特性可以降低馬達和逆變器電路的開關損耗。雙脈衝測試被廣泛用作確認這些損耗的方法。(如欲瞭解雙脈衝測試的概要,請參考《應用指南》。)下圖是透過雙脈衝測試確認單脈衝導通時的開關損耗結果。從結果可以看出,ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的導通損耗比ROHM傳統產品和競品更低。下圖是ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列實際用於同步整流昇壓電路時的效率確認結果。與上述雙脈衝測試中確認的損耗關係類似,實機評測結果顯示,R60xxVNx系列的損耗更低,效率更高。

  • ■雙脈衝測試的開關損耗確認結果

    雙脈衝測試的開關損耗確認結果
    *用於開關比較的產品均為導通電阻100mΩ級的產品,確認它們在汲極電流為15A的條件下改變閘極電阻後導通時的開關損耗。曲線圖的橫軸使用的是與各閘極電阻對應的導通時電流變化量dif/dt的值。
  • 使用同步整流昇壓電路的效率比較結果

    Efficiency Comparison Results Using a Synchronous Rectification Boost Circuit
    ** 所有用於實機對比的產品均為導通電阻60mΩ級的產品,在環境溫度25℃、輸入電壓220V、輸出電壓400V、L=500μH、頻率70kHz、關斷時的VDS過衝條件下,進行了測試。

可以實現高耐壓和低導通電阻的SuperJunction結構,透過結構的進一步微細化可提高性能。
透過結構的微細化提高了電流密度,與傳統產品(R60xxKNx)相比,成功地將性能指數Ron・A降低了35%,將Ron・Qgd降低了30%。因此,在導通電阻與傳統產品相同的情況下,可以進一步降低開關損耗,有助應用產品更加節能。

  • Even faster than conventional high-speed switching products

第4代 Super Junction MOSFET R60xxYNx 系列

 Package
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-3PFTO-247TOLL
VDS
(V)
Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247To-3PFTOLL
600324R6010YND3R6010YNXR6010YNX3   
215R6014YND3NEWR6014YNXR6014YNX3   
154 NEWR6020YNXR6014YNX3 R6020YNZ4R6020YNJ2
137 R6022YNXR6022YNX3 R6022YNZ4R6022YNJ2
112 R6027YNXR6027YNX3 R6027YNZ4R6027YNJ2
80 R6038YNXR6038YNX3 R6038YNZ4R6038YNJ2
68 R6049YNXR6049YNX3 R6049YNZ4R6049YNJ2
50 R6061YNXR6061YNX3 R6061YNZ4 
49     R6063YNJ2
36   R6089YNX3R6086YNZ4 
21    R60A4YNZ4 

推薦應用

・電視機
・伺服器
・UPS
・光伏功率調節器
・LED照明
・各種電源電路(BoostPFC [BCM,CCM] /三相ViennaPFC)

Recommended Applications

業界頂級的開關速度

不僅更加微細化,還透過結構優化實現了業界最快的開關速度,有助在電流連續模式下的PFC等硬開關型電路中實現更高效率。此外,在熱設計和雜訊設計過程中調整閘極電阻時,與競品相比,依然保持優勢。

■產品單體的開關損耗

  • Switching Loss of a Single Product
  • ・測試電路

    測試電路
    *比較用的產品均為導通電阻50mΩ級的產品。在汲極電流為10A的條件下,確認關斷時的閘極電阻固定為5Ω、且改變導通時的閘極電阻時的開關損耗。

與傳統產品相比,陣容更加豐富!

對於每種封裝,均能提供比傳統產品導通電阻更低和支援電流更大的產品。此外,透過在產品陣容中增加TO220AB和TOLL封裝產品,將能夠進一步滿足客戶的多樣化需求。

  • ■每種封裝的最小導通電阻值大範圍更新

    Minimum ON Resistance Updated for Each Package
  • ■產品陣容中新增TOLL封裝產品

    產品陣容中新增TOLL封裝產品

低雜訊規格/高速開關規格

提供兩種類型的超接合面MOSFET,即具有低雜訊規格的R6xxxENx系列和具有高速開關規格的R6xxxxKNx系列,分別具有600V耐壓和650V耐壓,並且都具有多種封裝類型。
R6xxxENx系列強調易用性,並在雜訊應用中實現最佳性能。
R6xxxKNx系列強調高效率,並在追求高速開關的應用中實現最佳性能。
由於R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的導通電阻,因此可因應客戶應用需求做選擇。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。

低雜訊規格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是強調易用性的低雜訊產品。
超接合面MOSFET顯著改善了傳統平面MOSFET的導通電阻和開關性能,作為反作用,通常存在雜訊特性劣化的問題。然而,R6xxxENx系列可以透過調整晶片內部的閘極結構,實現低雜訊性能,並且可以抑制因雜訊引起的損耗。
尤其適用於希望極力降低雜訊的音響和照明等應用。
此外,由於低雜訊性能與傳統的Planar MOSFET相同,因此易於取代Planar MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
2800R6002END3    
900R6004END3R6004ENJR6004ENX  
570R6007END3R6007ENJR6007ENX  
500R6009END3R6009ENJR6009ENX  
340R6011END3R6011ENJR6011ENX  
260 R6015ENJR6015ENXR6015ENZ 
170 R6020ENJR6020ENXR6020ENZR6020ENZ4
150 R6024ENJR6024ENXR6024ENZR6024ENZ4
115  R6030ENXR6030ENZR6030ENZ4
92   R6035ENZR6035ENZ4
66    R6047ENZ4
38    R6076ENZ4

☆:Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
3000R6502END3    
955R6504END3R6504ENJR6504ENX  
605R6507END3R6507ENJR6507ENX  
530R6509END3R6509ENJR6509ENX  
360R6511END3 R6511ENJR6511ENX  
280 R6515ENJR6515ENXR6515ENZ 
185 R6520ENJR6520ENXR6520ENZR6520ENZ4
160 R6524ENJR6524ENXR6524ENZR6524ENZ4
125  R6530ENXR6530ENZR6530ENZ4
98   R6535ENZR6535ENZ4
70    R6547ENZ4
40    R6576ENZ4

☆:Under Development

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款強調高效率的高速開關產品。
基於改良低雜訊R6xxxENx系列的內部MOSFET結構,極大地改善了影響開關速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不變,就可透過高速開關實現高效率。
有助於實現PFC和LLC等電路的高效率。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
1300R6003KND3    
900R6004KND3R6004KNJR6004KNX  
720R6006KND3R6006KNJR6006KNX  
570R6007KND3R6007KNJR6007KNX  
500R6009KND3R6009KNJR6009KNX  
340R6011KND3R6011KNJR6011KNX  
260 R6015KNJR6015KNXR6015KNZ 
170 R6020KNJR6020KNXR6020KNZR6020KNZ4
150 R6024KNJR6024KNXR6024KNZR6024KNZ4
115  R6030KNXR6030KNZR6030KNZ4
92   R6035KNZR6035KNZ4
66    R6047KNZ4
38    R6076KNZ4

☆:Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
1400R6503KND3    
955R6504KND3R6504KNJR6504KNX  
605R6507KND3R6507KNJR6507KNX  
530R6509KND3R6509KNJ R6509KNX  
360R6511KND3R6511KNJR6511KNX  
280 R6515KNJR6515KNXR6515KNZ 
185 R6520KNJR6520KNXR6520KNZR6520KNZ4
160 R6524KNJR6524KNXR6524KNZR6524KNZ4
125  R6530KNXR6530KNZR6530KNZ4
98   R6535KNZR6535KNZ4
70    R6547KNZ4
40    R6576KNZ4

☆:Under Development

VDS=800VPackage
TO252TO220FMTO247
TO252TO220FMTO247
Ron typ
(mΩ)
7200R8001KND3  
3500NEWR8002KND3R8002KNX 
1500NEWR8003KND3R8003KNX 
750NEWR8006KND3NEWR8006KNX 
500 NEWR8009KNX 
370 NEWR8011KNXR8011KNZ4
200 R8019KNXR8019KNZ4
80  R8052KNZ4

☆:Under Development

第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列

特點①快速反向回復特性

羅姆的PrestoMOS™系列採用羅姆獨有的專利技術,加快了寄生二極體的反應速度,因此具有快速反向回復時間(trr)。 然而,由於二極體的高速工作,急劇的電流變化可能導致大幅振盪。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列,透過優化結構,反向回復時不易引起振盪。這樣可以簡化客戶的振盪對策。如果回復時有振盪問題,請務必試用本產品。

特點①快速反向回復特性

特點②追求易用性

羅姆的PrestoMOS™系列,適用於馬達驅動用逆變器和橋式電路,這些電路需要高短路擊穿耐受力和自導通抑制。
短路擊穿耐受能力低時,MOSFET被擊穿的可能性增加,如果發生自導通,則功率損耗變大。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列,透過調整內部結構,可以解決這兩個問題。
與競爭對手的新一代產品相比,也能保證較佳的短路擊穿耐受力,可以更安全地使用。
而且,由於抑制了自導通,可以減少工作時的功率損耗。

特點②追求易用性