羅姆的高壓(600V~)功率MOSFET產品採用了超接合面(Super Junction)技術。
該技術實現了高速開關和低導通電阻,可以減少應用損耗。
羅姆有低雜訊和高速開關兩類產品,可以根據客戶的需求進行提案。
此外,PrestoMOS系列採用了羅姆的專利技術,內置了業界最速等級的二極體,有助於馬達和逆變器的節能效果。
推薦使用羅姆的SuperJunction-MOSFET的三個理由
- ①根據客戶需求提供三種產品系列
- ②每種系列提供豐富的導通電阻和封裝陣容
- ③高性能、高品質、完善的支援體制
[新產品] 高速內建二極體600V SuperJunction(超接合面) MOSFET PrestoMOS全新「R60xxJNx系列」
ROHM推出600V耐壓超接合面 MOSFET「PrestoMOS」系列產品,在保持業界最快的反向恢復時間(trr)的同時,提高設計靈活度,非常適用於空調、冰箱等生活家電的馬達驅動以及EV充電樁。而該「R60xxJNx系列」產品群於近期又新增共30種機型。
羅姆的SuperJunction-MOSFET
●根據客戶需求提供三種產品系列
●可以選擇五種封裝
系列 | 封裝 | ||||
---|---|---|---|---|---|
表面安裝型 | 引腳插入型 | ||||
TO-252 [DPAK] |
LPTS [D2PAK] |
TO-220FM | TO-3PF | TO-247 | |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|
低雜訊 (600V/650V) |
R6xxxEND3 | R6xxxENJ | R6xxxENX | R6xxxENZ | R6xxxENZ4 |
高速開關 (600V/650V) |
R6xxxKND3 | R6xxxKNJ | R6xxxKNX | R6xxxKNZ | R6xxxKNZ4 |
高速開關 (800V) |
R80xxKND3 | R80xxKNX | R80xxKNZ4 | ||
內置高速二極體 (PrestoMOS) |
R60xxJND3 | R60xxJNJ | R60xxJNX | R60xxJNZ | R60xxJNZ4 |
●在各種應用裝置中被採用,不僅在特性面,還在品質和支援體制面得到了高度評價
簡易搜索工具
何謂PrestoMOS
PrestoMOS是採用羅姆專利技術將SuperJunction-MOSFET的寄生二極體高速化的產品。通常,SuperJunction-MOSFET的寄生二極體因其特有的內部結構,比一般的MOSFET,回復性能差。因此,以往SuperJunction-MOSFET不能用於經常性使用寄生二極體的電路,如逆變器和橋式PFC電路。
PrestoMOS已針對寄生二極體高速化,可以克服SuperJunction-MOSFET的弱點,有助於使用馬達驅動用逆變器或橋式電路的應用大幅節能。

由於近年的來節能趨勢,用PrestoMOS替代廣泛用於逆變器的IGBT + FRD組合的例子正在增加。由於具有出色的回復特性,有助於應用的節能。

- Double-pulse test substantiated advantages of PrestoMOS
1.53MB DOWNLOAD
- Benefits given by R60xxJNx series for the Phase-Shift Full-Bridge
2.03MB DOWNLOAD
第三代PrestoMOS R60xxJNx系列
Package | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PFF | TO247 | ||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
Ron typ (mΩ) |
1100 | R6004JND3 | R6004JNJ | R6004JNX | ||
720 | R6006JND3 | R6006JNJ | R6006JNX | |||
600 | R6007JND3 | R6007JNJ | R6007JNX | |||
450 | R6009JND3 | R6009JNJ | R6009JNX | |||
350 | R6012JNJ | R6012JNX | ||||
220 | R6018JNJ | R6018JNX | ||||
180 | R6020JNJ | R6020JNX | R6020JNZ | R6020JNZ4 | ||
140 | R6025JNX | R6025JNZ | R6025JNZ4 | |||
110 | NEWR6030JNX | R6030JNZ | R6030JNZ4 | |||
90 | R6042JNZ4 | |||||
NEWR6050JNZ | NEWR6050JNZ4 | |||||
45 | NEWR6070JNZ4 |
☆:Under Development
特點①快速反向回復特性
羅姆的PrestoMOS系列採用羅姆獨有的專利技術,加快了寄生二極體的反應速度,因此具有快速反向回復時間(trr)。 然而,由於二極體的高速工作,急劇的電流變化可能導致大幅振盪。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,透過優化結構,反向回復時不易引起振盪。這樣可以簡化客戶的振盪對策。如果回復時有振盪問題,請務必試用本產品。

特點②追求易用性
羅姆的PrestoMOS系列,適用於馬達驅動用逆變器和橋式電路,這些電路需要高短路擊穿耐受力和自導通抑制。
短路擊穿耐受能力低時,MOSFET被擊穿的可能性增加,如果發生自導通,則功率損耗變大。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,透過調整內部結構,可以解決這兩個問題。
與競爭對手的新一代產品相比,也能保證較佳的短路擊穿耐受力,可以更安全地使用。
而且,由於抑制了自導通,可以減少工作時的功率損耗。

羅姆的兩種SuperJunction-MOSFET
提供兩種類型的超接合面MOSFET,即具有低雜訊規格的R6xxxENx系列和具有高速開關規格的R6xxxxKNx系列,分別具有600V耐壓和650V耐壓,並且都具有多種封裝類型。
R6xxxENx系列強調易用性,並在雜訊應用中實現最佳性能。
R6xxxKNx系列強調高效率,並在追求高速開關的應用中實現最佳性能。
由於R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的導通電阻,因此可因應客戶應用需求做選擇。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。
- R60xxENx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R65xxENx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R60xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R65xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R80xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
低雜訊規格R60xxENx/R65xxENx系列
R6xxxENx系列是強調易用性的低雜訊產品。
超接合面MOSFET顯著改善了傳統平面MOSFET的導通電阻和開關性能,作為反作用,通常存在雜訊特性劣化的問題。然而,R6xxxENx系列可以透過調整晶片內部的閘極結構,實現低雜訊性能,並且可以抑制因雜訊引起的損耗。
尤其適用於希望極力降低雜訊的音響和照明等應用。
此外,由於低雜訊性能與傳統的Planar MOSFET相同,因此易於取代Planar MOSFET。

VDS=600V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
Ron typ (mΩ) |
2800 | R6002END3 | ||||
900 | R6004END3 | R6004ENJ | R6004ENX | |||
570 | R6007END3 | R6007ENJ | R6007ENX | |||
500 | R6009END3 | R6009ENJ | R6009ENX | |||
340 | R6011END3 | R6011ENJ | R6011ENX | |||
260 | R6015ENJ | R6015ENX | R6015ENZ | |||
170 | R6020ENJ | R6020ENX | R6020ENZ | R6020ENZ4 | ||
150 | R6024ENJ | R6024ENX | R6024ENZ | ☆R6024ENZ4 | ||
115 | R6030ENX | R6030ENZ | R6030ENZ4 | |||
92 | R6035ENZ | R6035ENZ4 | ||||
66 | R6047ENZ4 | |||||
38 | R6076ENZ4 |
☆:Under Development
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
Ron typ (mΩ) |
3000 | ☆R6502END3 | ||||
955 | ☆R6504END3 | R6504ENJ | R6504ENX | |||
605 | ☆R6507END3 | R6507ENJ | R6507ENX | |||
530 | ☆R6509END3 | R6509ENJ | R6509ENX | |||
360 | ☆R6511END3 | R6511ENJ | R6511ENX | |||
280 | R6515ENJ | R6515ENX | R6515ENZ | |||
185 | R6520ENJ | R6520ENX | R6520ENZ | R6520ENZ4 | ||
160 | R6524ENJ | R6524ENX | R6524ENZ | R6524ENZ4 | ||
125 | R6530ENX | R6530ENZ | R6530ENZ4 | |||
98 | R6535ENZ | R6535ENZ4 | ||||
70 | R6547ENZ4 | |||||
40 | R6576ENZ4 |
☆:Under Development
高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx
R6xxxKNx系列是一款強調高效率的高速開關產品。
基於改良低雜訊R6xxxENx系列的內部MOSFET結構,極大地改善了影響開關速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不變,就可透過高速開關實現高效率。
有助於實現PFC和LLC等電路的高效率。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。

VDS=600V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
Ron typ (mΩ) |
1300 | R6003KND3 | ||||
900 | ☆R6004KND3 | R6004KNJ | R6004KNX | |||
720 | R6006KND3 | R6006KNJ | R6006KNX | |||
570 | ☆R6007KND3 | R6007KNJ | R6007KNX | |||
500 | ☆R6009KND3 | R6009KNJ | R6009KNX | |||
340 | R6011KND3 | R6011KNJ | R6011KNX | |||
260 | R6015KNJ | R6015KNX | R6015KNZ | |||
170 | R6020KNJ | R6020KNX | R6020KNZ | R6020KNZ4 | ||
150 | R6024KNJ | R6024KNX | R6024KNZ | R6024KNZ4 | ||
115 | R6030KNX | R6030KNZ | R6030KNZ4 | |||
92 | R6035KNZ | R6035KNZ4 | ||||
66 | R6047KNZ4 | |||||
38 | R6076KNZ4 |
☆:Under Development
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
Ron typ (mΩ) |
1400 | ☆R6503KND3 | ||||
955 | ☆R6504KND3 | R6504KNJ | R6504KNX | |||
605 | ☆R6507KND3 | R6507KNJ | R6507KNX | |||
530 | ☆R6509KND3 | R6509KNJ | R6509KNX | |||
360 | ☆R6511KND3 | R6511KNJ | R6511KNX | |||
280 | R6515KNJ | R6515KNX | R6515KNZ | |||
185 | R6520KNJ | R6520KNX | R6520KNZ | R6520KNZ4 | ||
160 | R6524KNJ | R6524KNX | R6524KNZ | R6524KNZ4 | ||
125 | R6530KNX | R6530KNZ | R6530KNZ4 | |||
98 | R6535KNZ | R6535KNZ4 | ||||
70 | R6547KNZ4 | |||||
40 | R6576KNZ4 |
☆:Under Development