PrestoMOS是採用羅姆專利技術將SuperJunction-MOSFET的寄生二極體高速化的產品。通常，SuperJunction-MOSFET的寄生二極體因其特有的內部結構，比一般的MOSFET，回復性能差。因此，以往SuperJunction-MOSFET不能用於經常性使用寄生二極體的電路，如逆變器和橋式PFC電路。
PrestoMOS已針對寄生二極體高速化，可以克服SuperJunction-MOSFET的弱點，有助於使用馬達驅動用逆變器或橋式電路的應用大幅節能。

由於近年的來節能趨勢，用PrestoMOS替代廣泛用於逆變器的IGBT + FRD組合的例子正在增加。由於具有出色的回復特性，有助於應用的節能。

羅姆的PrestoMOS系列採用羅姆獨有的專利技術，加快了寄生二極體的反應速度，因此具有快速反向回復時間（trr）。 然而，由於二極體的高速工作，急劇的電流變化可能導致大幅振盪。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列，透過優化結構，反向回復時不易引起振盪。這樣可以簡化客戶的振盪對策。如果回復時有振盪問題，請務必試用本產品。

羅姆的PrestoMOS系列，適用於馬達驅動用逆變器和橋式電路，這些電路需要高短路擊穿耐受力和自導通抑制。
短路擊穿耐受能力低時，MOSFET被擊穿的可能性增加，如果發生自導通，則功率損耗變大。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列，透過調整內部結構，可以解決這兩個問題。
與競爭對手的新一代產品相比，也能保證較佳的短路擊穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由於抑制了自導通，可以減少工作時的功率損耗。

R6xxxENx系列是強調易用性的低雜訊產品。
超接合面MOSFET顯著改善了傳統平面MOSFET的導通電阻和開關性能，作為反作用，通常存在雜訊特性劣化的問題。然而，R6xxxENx系列可以透過調整晶片內部的閘極結構，實現低雜訊性能，並且可以抑制因雜訊引起的損耗。
尤其適用於希望極力降低雜訊的音響和照明等應用。
此外，由於低雜訊性能與傳統的Planar MOSFET相同，因此易於取代Planar MOSFET。

R6xxxKNx系列是一款強調高效率的高速開關產品。
基於改良低雜訊R6xxxENx系列的內部MOSFET結構，極大地改善了影響開關速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不變，就可透過高速開關實現高效率。
有助於實現PFC和LLC等電路的高效率。