super-junction-mosfet

SuperJunction MOSFET

羅姆的高壓（600V～）功率MOSFET產品採用了超接合面(Super Junction)技術。
該技術實現了高速開關和低導通電阻，可以減少應用損耗。
羅姆有低雜訊和高速開關兩類產品，可以根據客戶的需求進行提案。
此外，PrestoMOS系列採用了羅姆的專利技術，內置了業界最速等級的二極體，有助於馬達和逆變器的節能效果。

推薦使用羅姆的SuperJunction-MOSFET的三個理由

  • ①根據客戶需求提供三種產品系列
  • ②每種系列提供豐富的導通電阻和封裝陣容
  • ③高性能、高品質、完善的支援體制

[新系列]
同時實現出色低雜訊特性和業界最快反向恢復時間
600V耐壓Super Junction MOSFET「R60xxRNx系列」

ROHM在600V耐壓Super Junction MOSFET「PrestoMOS™」產品陣容中，新增｢R60xxRNx系列」3款新產品，非常適用於冰箱和排氣風扇等對低雜訊特性要求較高的小型馬達驅動。

產品新聞

[新系列]
實現業界最快反向恢復時間和超低導通電阻
600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」

ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”擁有業界最快的反向恢復時間，非常適用於電動車充電樁、伺服器和基地台等需要大功率的工控設備電源電路、以及空調等大型家電的馬達驅動，本次還新增了支援大功率應用的“R60xxVNx系列”7款機型。

產品新聞

[新封裝]
有助照明電源、泵浦、馬達等應用小型化和薄型化！
SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET

與以往TO-252封裝（6.60mm×10.00mm×2.30mm）產品相比，新產品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助實現更小、更薄的應用產品。另外新產品還支援TO-252封裝電路板上的佈線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現有的電路板。

產品新聞

羅姆的SuperJunction-MOSFET

●更大的耐壓範圍和更低的導通電阻

  500mΩ　≤　Ron typ. 500mΩ　<　Ron typ.
  Active   Active  
800V R80xxKNx     R80xxKNx    
650V R65xxENx R65xxKNx     R65xxENx R65xxKNx   Under
Planning
600V R60xxENx R60xxKNx   Under
Development		 R60xxENx R60xxKNx   R60xxYNx
R60xxJNx   R60xxRNx
(低雜訊)		 R60xxJNx   R60xxVNx
  • ：低雜訊
  • ：高速開關
  • ：內置高速二極體
  • ：第4代通用型
  • ：內建第4代高速二極體

●可以選擇六種封裝

Series Package
Surface Mount Type Insertion Type
New SOT-223-3 TO-252
[DPAK]		 LPTS
[D2PAK]		 TO-220AB TO-220FM TO-3PF TO-247
SOT-223-3 TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK] TO-220AB TO-220FM TO-3PF TO-247
800V   R80xxKND3     R80xxKNX   R80xxKNZ4
650V   R65xxEND3 R65xxENJ   R65xxENX R65xxENZ R65xxENZ4
  R65xxKND3 R65xxKNJ R65xxKNX3 R65xxKNX R65xxKNZ R65xxKNZ4
600V
Gen.4
New		   R60xxYND3   R60xxYNX3 R60xxYNX R60xxYNZ R60xxYNZ4
  R60xxVND3   R60xxVNX3 R60xxVNX R60xxVNZ R60xxVNZ4
600V
Gen.3		 R600xEND4 R60xxEND3 R60xxENJ   R60xxENX R60xxENZ R60xxENZ4
R600xKND4 R60xxKND3 R60xxKNJ   R60xxKNX R60xxKNZ R60xxKNZ4
R600xJND4 R60xxJND3/RND3 R60xxJNJ   R60xxJNX R60xxJNZ R60xxJNZ4
  • ：低雜訊
  • ：高速開關
  • ：內置高速二極體
  • ：第4代通用型
  • ：內建第4代高速二極體

●在各種應用裝置中被採用，不僅在特性面，還在品質和支援體制面得到了高度評價

在各種應用裝置中被採用，不僅在特性面，還在品質和支援體制面得到了高度評價

簡易搜索工具

Leaflet

何謂PrestoMOS

PrestoMOS是採用羅姆專利技術將SuperJunction-MOSFET的寄生二極體高速化的產品。通常，SuperJunction-MOSFET的寄生二極體因其特有的內部結構，比一般的MOSFET，回復性能差。因此，以往SuperJunction-MOSFET不能用於經常性使用寄生二極體的電路，如逆變器和橋式PFC電路。
PrestoMOS已針對寄生二極體高速化，可以克服SuperJunction-MOSFET的弱點，有助於使用馬達驅動用逆變器或橋式電路的應用大幅節能。

何谓PrestoMOS

由於近年的來節能趨勢，用PrestoMOS替代廣泛用於逆變器的IGBT + FRD組合的例子正在增加。由於具有出色的回復特性，有助於應用的節能。

替换使用PrestoMOS，实现节能！

第4代 PrestoMOS R60xxVNx 系列

  Package
TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-3PF TO-247
VDS
(V)		 Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		 trr typ
(ns)		 TO-252 TO-220FM TO-220AB To-3PF TO-247
600 250 65 R6013VND3 R6013VNX      
170 68   NEWR6018VNX      
127 80   NEWR6024VNX NEWR6024VNX3    
95 92   NEWR6035VNX NEWR6035VNX3    
59 112   R6055VNX ☆R6055VNX3 NEWR6055VNZ NEWR6055VNZ4
42 125       NEWR6077VNZ NEWR6077VNZ4
22 167         ☆R60A4VNZ4

推薦應用

  • 馬達驅動
  • 節能大型家電
  • 充電樁
  • 太陽能電池功率調節器
  • 各種電源電路（LLC/圖騰柱PFC/全橋）
推薦應用

業界頂級的反向恢復特性

ROHM的PrestoMOS™系列採用ROHM獨家專利技術，提高了寄生二極體的反應速度，使關鍵特性—反向恢復時間（trr）達到了業界最快水準。通常，該特性會因微細化和升級換代而受損，但ROHM的第4代PrestoMOS™ R60xxVNx系列透過結構優化，在保持業界最快trr的同時，還改善了導通電阻等基本性能。 業界最快的trr特性可以降低馬達和逆變器電路的開關損耗。雙脈衝測試被廣泛用作確認這些損耗的方法。（如欲瞭解雙脈衝測試的概要，請參考《應用指南》。）下圖是透過雙脈衝測試確認單脈衝導通時的開關損耗結果。從結果可以看出，ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的導通損耗比ROHM傳統產品和競品更低。下圖是ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列實際用於同步整流昇壓電路時的效率確認結果。與上述雙脈衝測試中確認的損耗關係類似，實機評測結果顯示，R60xxVNx系列的損耗更低，效率更高。

  • ■雙脈衝測試的開關損耗確認結果

    雙脈衝測試的開關損耗確認結果
    *用於開關比較的產品均為導通電阻100mΩ級的產品，確認它們在汲極電流為15A的條件下改變閘極電阻後導通時的開關損耗。曲線圖的橫軸使用的是與各閘極電阻對應的導通時電流變化量dif/dt的值。

  • 使用同步整流昇壓電路的效率比較結果

    Efficiency Comparison Results Using a Synchronous Rectification Boost Circuit
    ** 所有用於實機對比的產品均為導通電阻60mΩ級的產品，在環境溫度25℃、輸入電壓220V、輸出電壓400V、L=500μH、頻率70kHz、關斷時的VDS過衝條件下，進行了測試。

可以實現高耐壓和低導通電阻的SuperJunction結構，透過結構的進一步微細化可提高性能。
透過結構的微細化提高了電流密度，與傳統產品（R60xxKNx）相比，成功地將性能指數Ron・A降低了35%，將Ron・Qgd降低了30%。因此，在導通電阻與傳統產品相同的情況下，可以進一步降低開關損耗，有助應用產品更加節能。

  • Even faster than conventional high-speed switching products

第4代 Super Junction MOSFET R60xxYNx 系列

  Package
TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-3PF TO-247 TOLL
VDS
(V)		 Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		 TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-247 To-3PF TOLL
600 324 ☆R6010YND3 ☆R6010YNX NEWR6010YNX3      
215 NEWR6014YND3 NEWR6014YNX NEWR6014YNX3      
154   NEWR6020YNX NEWR6020YNX3   NEWR6020YNZ4 ☆R6020YNJ2
137   NEWR6022YNX NEWR6022YNX3   NEWR6022YNZ4 ☆R6022YNJ2
112   NEWR6027YNX NEWR6027YNX3   NEWR6027YNZ4 ☆R6027YNJ2
80   ☆R6038YNX NEWR6038YNX3   NEWR6038YNZ4 ☆R6038YNJ2
68   NEWR6049YNX NEWR6049YNX3   NEWR6049YNZ4 ☆R6049YNJ2
57           ☆R6055YNJ2
50   NEWR6061YNX ☆R6061YNX3   NEWR6061YNZ4  
36       NEWR6086YNZ NEWR6086YNZ4  
21         ☆R60A4YNZ4  

推薦應用

・電視機
・伺服器
・UPS
・光伏功率調節器
・LED照明
・各種電源電路（BoostPFC [BCM,CCM] /三相ViennaPFC）

Recommended Applications

業界頂級的開關速度

不僅更加微細化，還透過結構優化實現了業界最快的開關速度，有助在電流連續模式下的PFC等硬開關型電路中實現更高效率。此外，在熱設計和雜訊設計過程中調整閘極電阻時，與競品相比，依然保持優勢。

■產品單體的開關損耗

  • Switching Loss of a Single Product

  • ・測試電路

    測試電路
    *比較用的產品均為導通電阻50mΩ級的產品。在汲極電流為10A的條件下，確認關斷時的閘極電阻固定為5Ω、且改變導通時的閘極電阻時的開關損耗。

與傳統產品相比，陣容更加豐富！

對於每種封裝，均能提供比傳統產品導通電阻更低和支援電流更大的產品。此外，透過在產品陣容中增加TO220AB和TOLL封裝產品，將能夠進一步滿足客戶的多樣化需求。

  • ■每種封裝的最小導通電阻值大範圍更新

    Minimum ON Resistance Updated for Each Package

  • ■產品陣容中新增TOLL封裝產品

    產品陣容中新增TOLL封裝產品

低雜訊規格/高速開關規格

提供兩種類型的超接合面MOSFET，即具有低雜訊規格的R6xxxENx系列和具有高速開關規格的R6xxxxKNx系列，分別具有600V耐壓和650V耐壓，並且都具有多種封裝類型。
R6xxxENx系列強調易用性，並在雜訊應用中實現最佳性能。
R6xxxKNx系列強調高效率，並在追求高速開關的應用中實現最佳性能。
由於R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的導通電阻，因此可因應客戶應用需求做選擇。
關於高速開關規格，也備有800V系列產品，實現了業界頂級性能。

低雜訊規格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是強調易用性的低雜訊產品。
超接合面MOSFET顯著改善了傳統平面MOSFET的導通電阻和開關性能，作為反作用，通常存在雜訊特性劣化的問題。然而，R6xxxENx系列可以透過調整晶片內部的閘極結構，實現低雜訊性能，並且可以抑制因雜訊引起的損耗。
尤其適用於希望極力降低雜訊的音響和照明等應用。
此外，由於低雜訊性能與傳統的Planar MOSFET相同，因此易於取代Planar MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600V Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
SOT-223-3 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 2800   R6002END3        
900 NEWR6004END4  R6004END3 R6004ENJ R6004ENX    
570   R6007END3 R6007ENJ R6007ENX    
500   R6009END3 R6009ENJ R6009ENX    
340   R6011END3 R6011ENJ R6011ENX    
260     R6015ENJ R6015ENX R6015ENZ  
170     R6020ENJ R6020ENX R6020ENZ R6020ENZ4
150     R6024ENJ R6024ENX R6024ENZ R6024ENZ4
115       R6030ENX R6030ENZ R6030ENZ4
92         R6035ENZ R6035ENZ4
66           R6047ENZ4
38           R6076ENZ4

☆：Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 3000 ☆R6502END3        
955 R6504END3 R6504ENJ R6504ENX    
605 R6507END3 R6507ENJ R6507ENX    
530 R6509END3 R6509ENJ R6509ENX    
360 R6511END3 R6511ENJ R6511ENX    
280   R6515ENJ R6515ENX R6515ENZ  
185   R6520ENJ R6520ENX R6520ENZ R6520ENZ4
160   R6524ENJ R6524ENX R6524ENZ R6524ENZ4
125     R6530ENX R6530ENZ R6530ENZ4
98       R6535ENZ R6535ENZ4
70         R6547ENZ4
40         R6576ENZ4

☆：Under Development

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款強調高效率的高速開關產品。
基於改良低雜訊R6xxxENx系列的內部MOSFET結構，極大地改善了影響開關速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不變，就可透過高速開關實現高效率。
有助於實現PFC和LLC等電路的高效率。
關於高速開關規格，也備有800V系列產品，實現了業界頂級性能。

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx
VDS=600V Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
SOT-223-3 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 1300 NEWR6003KND4 R6003KND3        
900   ☆R6004KND3 R6004KNJ R6004KNX    
720 NEWR6006KND4 R6006KND3 ☆R6006KNJ R6006KNX    
570   R6007KND3 R6007KNJ R6007KNX    
500   R6009KND3 R6009KNJ R6009KNX    
340   R6011KND3 R6011KNJ R6011KNX    
260     R6015KNJ R6015KNX R6015KNZ  
170     R6020KNJ R6020KNX R6020KNZ R6020KNZ4
150     R6024KNJ R6024KNX R6024KNZ R6024KNZ4
115       R6030KNX R6030KNZ R6030KNZ4
92         R6035KNZ R6035KNZ4
66           R6047KNZ4
38           R6076KNZ4

☆：Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 1400 ☆R6503KND3        
955 R6504KND3 R6504KNJ R6504KNX    
605 R6507KND3 R6507KNJ R6507KNX    
530 R6509KND3 R6509KNJ R6509KNX    
360 R6511KND3 R6511KNJ R6511KNX    
280   R6515KNJ R6515KNX R6515KNZ  
185   R6520KNJ R6520KNX R6520KNZ R6520KNZ4
160   R6524KNJ R6524KNX R6524KNZ R6524KNZ4
125     R6530KNX R6530KNZ R6530KNZ4
98       R6535KNZ R6535KNZ4
70         R6547KNZ4
40         R6576KNZ4

☆：Under Development

VDS=800V Package
TO252 TO220FM TO247
TO252 TO220FM TO247
Ron typ
(mΩ)		 7200 ☆R8001KND3    
3500 NEWR8002KND3 NEWR8002KNX  
1500 NEWR8003KND3 NEWR8003KNX  
750 NEWR8006KND3 NEWR8006KNX  
500   NEWR8009KNX  
370   NEWR8011KNX ☆R8011KNZ4
200   NEWR8019KNX ☆R8019KNZ4
80     ☆R8052KNZ4

☆：Under Development

第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列

  Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PFF TO247
SOT-223-3 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 2500 NEWR6002JND4          
1600 NEWR6003JND4          
1100   R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX    
720   R6006JND3 R6006JNJ R6006JNX    
600   R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX    
450   R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX    
350     R6012JNJ R6012JNX    
220     R6018JNJ R6018JNX    
180     R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ R6020JNZ4
140       R6025JNX R6025JNZ R6025JNZ4
110       R6030JNX R6030JNZ R6030JNZ4
90           R6042JNZ4
          R6050JNZ R6050JNZ4
45           R6070JNZ4

特點①快速反向回復特性

羅姆的PrestoMOS™系列採用羅姆獨有的專利技術，加快了寄生二極體的反應速度，因此具有快速反向回復時間（trr）。 然而，由於二極體的高速工作，急劇的電流變化可能導致大幅振盪。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，透過優化結構，反向回復時不易引起振盪。這樣可以簡化客戶的振盪對策。如果回復時有振盪問題，請務必試用本產品。

特點①快速反向回復特性

特點②追求易用性

羅姆的PrestoMOS™系列，適用於馬達驅動用逆變器和橋式電路，這些電路需要高短路擊穿耐受力和自導通抑制。
短路擊穿耐受能力低時，MOSFET被擊穿的可能性增加，如果發生自導通，則功率損耗變大。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，透過調整內部結構，可以解決這兩個問題。
與競爭對手的新一代產品相比，也能保證較佳的短路擊穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由於抑制了自導通，可以減少工作時的功率損耗。

特點②追求易用性

第3代PrestoMOS™ R60xxRNx系列

產品型號 Datasheet 極性
[ch]		 VDSS
[V]		 ID
[A]		 PD
[W]
*TC=25℃		 RDS(on)（Typ.）
[mΩ]
*VGS=15V		 Qg（Typ.）
[nC]
*VGS=15V		 trr（Typ.）
[ns]		 封裝
NewR6004RND3 PDF N 600 4 60 1,330 10.5 40 SSOP6
TO-252
<DPAK>
NewR6007RND3 PDF 7 96 730 17.5 50
NewR6009RND3 PDF 9 126 510 22.5 55

特點　高速反向恢復時間特性，同時還進一步降低了雜訊

透過改善Lifetime控制技術，實現了40ns業界最快反向恢復時間，與市場競品相比，開關損耗降低約30%，有助進一步降低應用設備的功耗。
另外，透過全新開發的獨家Super Junction結構，與市場競品相比，與反向恢復時間難以取捨的雜訊也降低了約15dB（ROHM測試條件、40MHz時的比較）。有助減少應用設備抗雜訊設計工時和零件數量。

※2023年3月　ROHM調查

新產品「R60xxRNx系列」特點
新產品「R60xxRNx系列」的應用優勢

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