SuperJunction MOSFET

羅姆的高壓(600V~)功率MOSFET產品採用了超接合面(Super Junction)技術。
該技術實現了高速開關和低導通電阻,可以減少應用損耗。
羅姆有低雜訊和高速開關兩類產品,可以根據客戶的需求進行提案。
此外,PrestoMOS系列採用了羅姆的專利技術,內置了業界最速等級的二極體,有助於馬達和逆變器的節能效果。

推薦使用羅姆的SuperJunction-MOSFET的三個理由

  • ①根據客戶需求提供三種產品系列
  • ②每種系列提供豐富的導通電阻和封裝陣容
  • ③高性能、高品質、完善的支援體制

[新產品] 高速內建二極體600V SuperJunction(超接合面) MOSFET PrestoMOS全新「R60xxJNx系列」

ROHM推出600V耐壓超接合面 MOSFET「PrestoMOS」系列產品,在保持業界最快的反向恢復時間(trr)的同時,提高設計靈活度,非常適用於空調、冰箱等生活家電的馬達驅動以及EV充電樁。而該「R60xxJNx系列」產品群於近期又新增共30種機型。

新產品速報

羅姆的SuperJunction-MOSFET

●根據客戶需求提供三種產品系列

系列 VDS
600V 650V 800V
低雜訊 R60xxENx R65xxENx  
高速開關 R60xxKNx R65xxKNx R80xxKNx
內置高速二極體(PrestoMOS) R60xxJNx    

●可以選擇五種封裝

系列 封裝
表面安裝型 引腳插入型
TO-252
[DPAK]
LPTS
[D2PAK]
TO-220FM TO-3PF TO-247
TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK] TO-220FM TO-3PF TO-247
低雜訊
(600V/650V)
R6xxxEND3 R6xxxENJ R6xxxENX R6xxxENZ R6xxxENZ4
高速開關
(600V/650V)
R6xxxKND3 R6xxxKNJ R6xxxKNX R6xxxKNZ R6xxxKNZ4
高速開關
(800V)
R80xxKND3   R80xxKNX   R80xxKNZ4
內置高速二極體
(PrestoMOS)
R60xxJND3 R60xxJNJ R60xxJNX R60xxJNZ R60xxJNZ4

●在各種應用裝置中被採用,不僅在特性面,還在品質和支援體制面得到了高度評價

在广泛的应用中都有采用,不仅在特性方面,还在质量和支持方面也受到了高度评价

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何謂PrestoMOS

PrestoMOS是採用羅姆專利技術將SuperJunction-MOSFET的寄生二極體高速化的產品。通常,SuperJunction-MOSFET的寄生二極體因其特有的內部結構,比一般的MOSFET,回復性能差。因此,以往SuperJunction-MOSFET不能用於經常性使用寄生二極體的電路,如逆變器和橋式PFC電路。
PrestoMOS已針對寄生二極體高速化,可以克服SuperJunction-MOSFET的弱點,有助於使用馬達驅動用逆變器或橋式電路的應用大幅節能。

何谓PrestoMOS

由於近年的來節能趨勢,用PrestoMOS替代廣泛用於逆變器的IGBT + FRD組合的例子正在增加。由於具有出色的回復特性,有助於應用的節能。

替换使用PrestoMOS,实现节能!

第三代PrestoMOS R60xxJNx系列

  Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PFF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1100 R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX    
720 R6006JND3 R6006JNJ R6006JNX    
600 R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX    
450 R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX    
350   R6012JNJ R6012JNX    
220   R6018JNJ R6018JNX    
180   R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ R6020JNZ4
140     R6025JNX R6025JNZ R6025JNZ4
110     NEWR6030JNX R6030JNZ R6030JNZ4
90         R6042JNZ4
        NEWR6050JNZ NEWR6050JNZ4
45         NEWR6070JNZ4

☆:Under Development

特點①快速反向回復特性

羅姆的PrestoMOS系列採用羅姆獨有的專利技術,加快了寄生二極體的反應速度,因此具有快速反向回復時間(trr)。 然而,由於二極體的高速工作,急劇的電流變化可能導致大幅振盪。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,透過優化結構,反向回復時不易引起振盪。這樣可以簡化客戶的振盪對策。如果回復時有振盪問題,請務必試用本產品。

特點①快速反向恢复特性

特點②追求易用性

羅姆的PrestoMOS系列,適用於馬達驅動用逆變器和橋式電路,這些電路需要高短路擊穿耐受力和自導通抑制。
短路擊穿耐受能力低時,MOSFET被擊穿的可能性增加,如果發生自導通,則功率損耗變大。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,透過調整內部結構,可以解決這兩個問題。
與競爭對手的新一代產品相比,也能保證較佳的短路擊穿耐受力,可以更安全地使用。
而且,由於抑制了自導通,可以減少工作時的功率損耗。

特點②追求易用性

羅姆的兩種SuperJunction-MOSFET

提供兩種類型的超接合面MOSFET,即具有低雜訊規格的R6xxxENx系列和具有高速開關規格的R6xxxxKNx系列,分別具有600V耐壓和650V耐壓,並且都具有多種封裝類型。
R6xxxENx系列強調易用性,並在雜訊應用中實現最佳性能。
R6xxxKNx系列強調高效率,並在追求高速開關的應用中實現最佳性能。
由於R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的導通電阻,因此可因應客戶應用需求做選擇。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。

低雜訊規格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是強調易用性的低雜訊產品。
超接合面MOSFET顯著改善了傳統平面MOSFET的導通電阻和開關性能,作為反作用,通常存在雜訊特性劣化的問題。然而,R6xxxENx系列可以透過調整晶片內部的閘極結構,實現低雜訊性能,並且可以抑制因雜訊引起的損耗。
尤其適用於希望極力降低雜訊的音響和照明等應用。
此外,由於低雜訊性能與傳統的Planar MOSFET相同,因此易於取代Planar MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
2800 R6002END3        
900 R6004END3 R6004ENJ R6004ENX    
570 R6007END3 R6007ENJ R6007ENX    
500 R6009END3 R6009ENJ R6009ENX    
340 R6011END3 R6011ENJ R6011ENX    
260   R6015ENJ R6015ENX R6015ENZ  
170   R6020ENJ R6020ENX R6020ENZ R6020ENZ4
150   R6024ENJ R6024ENX R6024ENZ R6024ENZ4
115     R6030ENX R6030ENZ R6030ENZ4
92       R6035ENZ R6035ENZ4
66         R6047ENZ4
38         R6076ENZ4

☆:Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
3000 R6502END3        
955 R6504END3 R6504ENJ R6504ENX    
605 R6507END3 R6507ENJ R6507ENX    
530 R6509END3 R6509ENJ R6509ENX    
360 R6511END3 R6511ENJ R6511ENX    
280   R6515ENJ R6515ENX R6515ENZ  
185   R6520ENJ R6520ENX R6520ENZ R6520ENZ4
160   R6524ENJ R6524ENX R6524ENZ R6524ENZ4
125     R6530ENX R6530ENZ R6530ENZ4
98       R6535ENZ R6535ENZ4
70         R6547ENZ4
40         R6576ENZ4

☆:Under Development

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款強調高效率的高速開關產品。
基於改良低雜訊R6xxxENx系列的內部MOSFET結構,極大地改善了影響開關速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不變,就可透過高速開關實現高效率。
有助於實現PFC和LLC等電路的高效率。
關於高速開關規格,也備有800V系列產品,實現了業界頂級性能。

高速開關規格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx
VDS=600V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1300 R6003KND3        
900 R6004KND3 R6004KNJ R6004KNX    
720 R6006KND3 R6006KNJ R6006KNX    
570 R6007KND3 R6007KNJ R6007KNX    
500 R6009KND3 R6009KNJ R6009KNX    
340 R6011KND3 R6011KNJ R6011KNX    
260   R6015KNJ R6015KNX R6015KNZ  
170   R6020KNJ R6020KNX R6020KNZ R6020KNZ4
150   R6024KNJ R6024KNX R6024KNZ R6024KNZ4
115     R6030KNX R6030KNZ R6030KNZ4
92       R6035KNZ R6035KNZ4
66         R6047KNZ4
38         R6076KNZ4

☆:Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1400 R6503KND3        
955 R6504KND3 R6504KNJ R6504KNX    
605 R6507KND3 R6507KNJ R6507KNX    
530 R6509KND3 R6509KNJ R6509KNX    
360 R6511KND3 R6511KNJ R6511KNX    
280   R6515KNJ R6515KNX R6515KNZ  
185   R6520KNJ R6520KNX R6520KNZ R6520KNZ4
160   R6524KNJ R6524KNX R6524KNZ R6524KNZ4
125     R6530KNX R6530KNZ R6530KNZ4
98       R6535KNZ R6535KNZ4
70         R6547KNZ4
40         R6576KNZ4

☆:Under Development

VDS=800V Package
TO252 TO220FM TO247
TO252 TO220FM TO247
Ron typ
(mΩ)
7200 R8001KND3    
3500 NEWR8002KND3 R8002KNX  
1500 NEWR8003KND3 R8003KNX  
750 NEWR8006KND3 NEWR8006KNX  
500   NEWR8009KNX  
370   NEWR8011KNX R8011KNZ4
200   R8019KNX R8019KNZ4
80     R8052KNZ4

☆:Under Development