SiC MOSFET

SiC MOSFET原理上在開關過程中不會產生拖尾電流,可高速運行且開關損耗低。低導通電阻和小型晶片尺寸造就較低的電容和閘極電荷。此外,SiC還具有如導通電阻增加量很小的優異的材料屬性,並且有比導通電阻可能隨著溫度的升高而上升2倍以上的矽(Si)器件更優異的封裝微型化和節能的優點。

第4代SiC MOSFET

新推出的第4代SiC MOSFET,在改進短路耐受時間的前提下,實現了業界超低導通電阻。另外,還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性,有助設備進一步實現節能化。

SiC MOSFET、SiC SBD離散式封裝規劃進程

現有的封裝產品陣容以及正在開發的封裝。Discrete package roadmap for SiC MOSFET and SiC SBDDiscrete package roadmap for SiC MOSFET and SiC SBD

Easy Part Finder

 
Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] TO-263-7L
TO-263-7L
Dimensions
TO-247-4L
TO-247-4L
Dimensions
TO-263CA-7LSHYAD
TO-263CA-7LSHYAD
TO-3PFM
TO-3PFM
Dimensions
TO-247N
TO-247N
Dimensions
TO-263-7LA
TO-263-7LA
Dimensions
650 17.0

SCT3017AL

SCT3017ALHR

650 22.0

SCT3022AL

SCT3022ALHR

650 30.0

SCT3030AW7

SCT3030AR

SCT3030ARHR

SCT3030AL

SCT3030ALHR

650 60.0

SCT3060AW7

SCT3060AR

SCT3060ARHR

SCT3060AL

SCT3060ALHR

650 80.0

SCT3080AW7

SCT3080AR

SCT3080ARHR

SCT3080AL

SCT3080ALHR

650 120.0

SCT3120AW7

SCT3120AL

SCT3120ALHR

750 13.0

SCT4013DW7

SCT4013DR

SCT4013DE

750 26.0

SCT4026DW7HR

SCT4026DW7

SCT4026DR

SCT4026DRHR

SCT4026DE

SCT4026DEHR

SCT4026DWA

SCT4026DWAHR

750 45.0

SCT4045DW7HR

SCT4045DW7

SCT4045DR

SCT4045DRHR

SCT4045DE

SCT4045DEHR

SCT4045DWA

SCT4045DWAHR

1200 18.0

SCT4018KW7

SCT4018KR

SCT4018KE

NewSCT4018KWA

1200 22.0

SCT3022KL

SCT3022KLHR

1200 30.0

SCT3030KL

SCT3030KLHR

1200 36.0

SCT4036KW7

SCT4036KR

SCT4036KRHR

SCT4036KE

SCT4036KEHR

NewSCT4036KWA

1200 40.0

SCT3040KW7

SCT3040KR

SCT3040KRHR

SCT3040KL

SCT3040KLHR

1200 62.0

SCT4062KW7HR

SCT4062KW7

SCT4062KR

SCT4062KRHR

SCT4062KE

SCT4062KEHR

SCT4062KWAHR

SCT4062KWA

1200 80.0

SCT3080KW7

SCT3080KR

SCT3080KRHR

SCT2080KE

SCT3080KL

SCT2080KEHR

SCT3080KLHR

1200 105.0

SCT3105KW7

SCT3105KR

SCT3105KRHR

SCT3105KL

SCT3105KLHR

1200 160.0

SCT3160KW7

SCT3160KW7HR

SCT2160KE

SCT3160KL

SCT3160KLHR

SCT2160KEHR

SCT3160KWA

SCT3160KWAHR

1200 280.0

SCT2280KE

SCT2280KEHR

1200 450.0

SCT2450KE

SCT2450KEHR

1700 750.0

NewSCT2750NWC

1700 1150.0

NewSCT2H12NWB

SCT2H12NZ

Parametric Search

 
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      Supporting Information

       

      第4代SiC MOSFET

      ROHM量產中的第4代SiC MOSFET,是在改進短路耐受時間的情況下實現業界超低導通電阻的產品,目前不僅可供應裸晶片,還可供應Discrete封裝形式的產品。

      特點

      1.改進短路耐受時間,實現業界頂級低導通電阻

      在第4代SiC MOSFET中,透過進一步改進ROHM自有雙溝槽結構,成功改善了主驅逆變器所要求的短路耐受時間,使導通電阻比傳統產品降低約40%,實現了業界頂級低導通電阻。

      2.透過大幅降低寄生電容,實現更低開關損耗

      第4代SiC MOSFET透過大幅降低閘極-汲極間電容(Cgd),成功使開關損耗比傳統產品降低約50%。

      3.支援15V閘極-源極電壓,簡化應用產品設計

      在MOSFET中,需要在元件ON時向電晶體的閘極施加一定量的電壓。除了到第3代SiC MOSFET為止所支援的18V閘極-源極電壓(Vgs)外,第4代SiC MOSFET還支援更容易處理的15V閘極-源極電壓,可與IGBT一起用來設計驅動電路(閘極驅動電路)。

      On-resistance comparison
      Switching loss comparison
       

      應用範例:主驅逆變器

      有助於包括車載逆變器和各種開關電源在內,各種應用產品實現顯著的小型化和更低功耗,比如在用於車載主驅逆變器時,與使用IGBT時相比,效率可以得到顯著提升,主要體現在逆變器的高扭矩和低轉速範圍,從而可使電耗減少6%(按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算)。

      應用範例:主驅逆變器

       

      第4代SiC MOSFET 支援資訊

      評估板

      Evaluation board
      4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001是一款可評估採用TO-247N/TO-247-4L封裝的第4代SiC MOSFET的評估板。對於所搭載的SiC MOSFET,可以選擇並購買所需導通阻值的元件來進行評估。該評估板中配有閘極驅動器和週邊電路,可有效減少設計和評估工時。

      Evaluation board
      Evaluation Board HB2637L-EVK-301

      The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

      Evaluation board
      EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
      ・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
      ・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
      ・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test

      我們對評估板進行了建模作業,並在線上模擬器中為第4代SiC MOSFET準備了雙脈衝測試環境。 可以透過模擬評估工作電壓、柵極驅動電路、緩衝電路常數等引起的開關波形,並有助於減少實機評估的工時,以及用於對寄生電感的效果評估等。(需要註冊MyROHM)。

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Design Model

      Part Number Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance
      (Typ.(mΩ)
      Package SPICE
      Model?
      PLECS
      Model?
      PSIM
      Model?
      PCB
      Library?
      SCT4045DE 750 45
      TO-247N

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4026DE 26

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4013DE 13

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4062KE 1200 62

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4036KE 36

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

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      SCT4018KE 18

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4045DR 750 45
      TO-247-4L

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

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      SCT4026DR 26

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

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      SCT4013DR 13

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

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      SCT4062KR 1200 62

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4036KR 36

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4018KR 18

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4045DW7 750 45
      TO-263-7L

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4026DW7 26

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4013DW7 13

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4062KW7 1200 62

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4036KW7 36

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      SCT4018KW7 18

      zip
      (L1,L2,L3)

      zip

      zip

      Simulations (Login Required)

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

       

      SiC MOSFET 支援資訊

      評估板

      Category SiC Product Image Part No. User Guide Purchase
      Board
      SiC-MOS  Evaluation
      Board
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N NEW
      P04SCT4018KE-EVK-001
      User Guide
      Product Specification
      Online
      Distributors
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L NEW
      P05SCT4018KR-EVK-001
      Online
      Distributors
      SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L P02SCT3040KR-EVK-001  User Guide
      Product Specification
      Online
      Distributors

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Technical Articles

      Schematic Design & Verification

      Thermal Design

      Models & Tools

      Simulations (Login Required)

      「ROHM Solution Simulator」是一款能在ROHM官網上運行的電子電路模擬工具。從零件選擇和元件單體驗證等研發初期階段到系統級的驗證階段,各項模擬工作都可以在Web上執行。ROHM提供的SiC元件等功率元件產品、驅動IC和電源IC等IC產品,都可以在接近實際環境的解決方案電路中輕易地進行驗證,大幅縮短研發週期。

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

      Application

      Topology

      Related Product

       

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