RV8C010UNHZG
高安裝可靠性 DFN1010, Nch 20V 1A, 車電小信號MOSFET

RV8C010UNHZG是具有較高安裝可靠性的車電超小型MOSFET,利用先進的Wettable Flank成型技術確保封裝側面電極部分的高度為125μm。採用底部電極結構的封裝確保穩定的焊接品質,使部件安裝後焊接狀態的自動光學檢查(AOI)更準確。有助於車電ECU和ADAS相機模組等車電元件的小型化。適合用於高側負載開關、開關電路、繼電器驅動器。

Product Detail

 
料號 | RV8C010UNHZGG2CR
狀態 | 推薦品
封裝 | DFN1010-3W (Wettable Flank)
單位數量 | 8000
最小包裝數量 | 8000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Package Code

DFN1010-3W

Package Size [mm]

1x1 (t=0.45)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

0.7

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.54

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.47

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.4

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.34

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.7

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

  • Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package (1.0×1.0×0.4mm)
  • Side wettable Flanks for automated optical solder inspection (AOI). Tin-plated 100% solderable side pads guarantees Min.125µm
  • AEC-Q101 qualified
  • ESD protection up to 2kV (HBM)
  • Very fast switching
  • Ultra low voltage drive (2.5V drive)

Supporting Information

 

概要

新產品採用ROHM獨創的Wettable Flank成型技術※1,以1.0mm×1.0mm的業界最小尺寸,確保了封裝側面電極部分的高度可達125μm。在要求高品質的車電應用上,安裝重要元件後會進行自動光學檢查(以下簡稱AOI※2),打造出了非常出色的焊接可靠性。此外,通常小型化和高散熱性之間存在著取捨(Trade-off)關係,而採用底部電極結構的新封裝同時兼顧了兩者,因此非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和先進駕駛輔助系統(ADAS)等相關應用。

背景

近年來,隨著汽車電子化加速,汽車中使用的電子元件和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此,必須要在有限的空間裡安裝更多元件,使安裝密度也能夠越來越高。例如,1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量,預計將從2019年的186個,增加約三成至2025年的230個。為了滿足安裝密度越來越高的車電應用需求,市場對於元件體積的要求也越來越高,因此能夠兼顧小型化和高散熱性的底部電極封裝產品逐漸受到青睞。 另一方面,為了確保車電元件的可靠性,雖然安裝元件後會進行AOI,但由於底部電極封裝只在底部有電極,故無法仔細確認焊接狀態,要進行符合車電標準的AOI會有一定難度。

新產品使用ROHM獨創Wettable Flank成型技術,成功解決了上述課題,進而開發出業界最小車電用超小型MOSFET,目前也陸續導入至各車廠中。未來除了MOSFET,ROHM也會積極擴充雙載子電晶體和二極體等產品線。

(※截至2020年9月30日ROHM調查)

特點

1.利用ROHM獨創Wettable Flank成型技術,確保封裝側面電極部分高度達125μm

採用傳統技術的底部電極封裝,因為無法在引線框架側面電鍍加工,故無法保有車電所需的焊料高度,並且難以進行AOI檢測。本次新產品採用ROHM獨創 Wettable Flank成型技術,能夠以引線框架上限電鍍加工,並以1.0mm×1.0mm的尺寸,確保封裝側面電極部分的高度可達125μm。因此即使是底部電極封裝,也可以穩定焊料圓角,並以元件安裝後所進行的AOI,仔細確認焊接狀態。

実装時断面図

2.替換成超小型、高散熱性MOSFET,對應電路板的高密度需求

新產品尺寸僅為1.0mm×1.0mm(DFN1010封裝),卻保有與2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封裝)相同的性能,因此安裝面積可減少85%左右。不僅如此,使用散熱性優異的底部電極後,與SOT-23封裝相比,可將散熱性提高65%。也就是說,新產品兼顧了小型化與高散熱性,非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和ADAS相關應用。

兼顧了小型化與高散熱性

產品系列

產品型號 極性
[ch]
汲極 - 源極間耐壓
VDSS
[V]
汲極電流
ID
[A]
驅動電壓
[V]
汲極 - 源極間導通電組 RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V @VGS=4.5V @VGS=4.0V @VGS=2.5V @VGS=1.8V @VGS=1.5V @VGS=1.2V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.

RV8C010UN
N 20 1.0 1.2 - - 340 470 - - 400 560 470 650 540 810 700 1050

RV8L002SN
N 60 0.25 2.5 1700 2400 2100 3000 2300 3200 3000 12000 - - - - - -

BSS84X
P -60 -0.25 -4.5 2800 5300 3500 6400 - - - - - - - - - -

應用範例

開關應用和反接保護應用相關的通用產品

  • 自動駕駛控制ECU
  • 引擎控制ECU
  • ADAS相關應用
  • 車電資訊娛樂系統
  • 行車記錄器

など

名詞解釋

※1)WWettable Flank成型技術
在QFN和DFN等底部電極封裝的引線框架側面電鍍加工的技術。有助於提升焊接可靠性。

※2)AOI(Automated Optical Inspection)
透過相機來掃描電路板,自動檢查元件缺失、品質缺陷及焊接狀態等。