※2024年1月31日 ROHM調查 產品陣容 支援頁面和資源資訊 電商銷售資訊 Video 新產品參考資料 2024年1月31日 半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr*1的100V耐壓蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）「YQ系列」。 二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。 「YQ系列」是繼以往支援各種電路應用的4個SBD系列之後推出的新系列產品，也是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計，實現了業界最高等級trr（15ns），與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此有助降低應用產品功耗。另外透過採用溝槽MOS結構，與以往採用平面結構的SBD相比，順向施加時的損耗VF*2和逆向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等順向使用時的功率損耗，還可以降低對於SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優勢使該系列產品非常適用於容易發熱的車載LED頭燈的驅動電路、xEV用DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。 新產品從2023年12月起已全部投入量產（樣品價格：300日元～/個，未稅），樣品也開始透過電商平台銷售。今後ROHM將持續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元件的品質，並繼續加強別具特色的產品陣容，為應用產品進一步實現小型化和低功耗貢獻力量。 ＜關於SBD的溝槽MOS結構＞ 溝槽MOS結構是在磊晶片層中形成溝槽（溝槽MOS）並用多晶矽填充的結構，該種結構可以緩和電場集中，從而可以降低磊晶片層的電阻率，在順向施加時VF更低。另外當逆向施加時，可以緩和電場集中現象，從而實現更低的IR。前述的「YQ系列」透過採用此種溝槽MOS結構，與以往產品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。 另一方面，在普通溝槽MOS結構中，寄生電容（元件中的電阻分量）較大，因此trr會比平面結構的差。「YQ系列」不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM獨家結構設計，實現了約15ns的業界最高等級trr。由於可將開關時的損耗降低約26%，因此非常有助降低應用產品功耗。 ＜應用範例＞ ・汽車LED頭燈 ・xEV用DC-DC轉換器 ・工業設備電源 ・照明 ＜產品陣容＞ 封裝名 封裝尺寸 mm[inch] 消費電子應用產品型號 Datasheet 車規應用產品型號 （對應AEC-Q101） Datasheet 絕對最大額定 電氣特性 電路 網購 VRM [V] Io [A] Tj Max. [℃] VF Max.（25℃） IR Max.（25℃） Cond. Cond. （PMDE） 2513[1005] YQ1VWM10A YQ1VWM10ATF 100 1 175 0.70V IF=1A 6μA VR=100V Single ✓ YQ2VWM10B YQ2VWM10BTF 2 0.77V IF=2A 10μA ✓ SOD-123FL （PMDU） 3516[1408] YQ2MM10A YQ2MM10ATF 100 2 175 0.77V IF=2A 10μA VR=100V Single ✓ YQ3MM10B YQ3MM10BTF 3 IF=3A 15μA ✓ SOD-128 （PMDTM） 4725[1910] YQ2LAM10B YQ2LAM10BTF 100 2 175 0.67V IF=2A 15μA VR=100V Single ✓ YQ3LAM10D YQ3LAM10DTF 3 0.64V IF=3A 30μA ✓ YQ5LAM10C YQ5LAM10CTF 5 0.77V IF=5A 25μA ✓ YQ5LAM10D YQ5LAM10DTF 0.73V 30μA ✓ YQ5LAM10E YQ5LAM10ETF 0.61V 50μA ✓ TO-277A （TO-277GE） 6546[2618] YQ3RSM10SD YQ3RSM10SDTF* 100 3 175 0.64V IF=3A 30μA VR=100V Single ✓ YQ5RSM10SD YQ5RSM10SDTF* 5 0.77V IF=5A 25μA ✓ YQ8RSM10SD YQ8RSM10SDTF* 8 0.67V IF=8A 60μA ✓ YQ10RSM10SD YQ10RSM10SDTF* 10 IF=10A 80μA ✓ YQ12RSM10SD YQ12RSM10SDTF* 12 IF=12A 90μA ✓ YQ15RSM10SD YQ15RSM10SDTF* 15 0.68V IF=15A 100μA ✓ TO-252AA （TO-252M / TO-252GE） 10066[3926] YQ20BGE10SD - - 100 20 150 0.86V IF=20A 80μA VR=100V Single ✓ - - YQ20BM10SDFH ✓ TO-263AB （TO-263L） 151101[5940] ☆YQ20NL10SD ☆YQ20NL10SDFH 100 20 150 0.96V IF=20A 70μA VR=100V Single - YQ20NL10SE YQ20NL10SEFH 0.86V 80μA ✓ ☆YQ30NL10SD ☆YQ30NL10SDFH 30 0.99V IF=30A 95μA - YQ30NL10SE YQ30NL10SEFH 0.86V 150μA ✓ YQ20NL10CD YQ20NL10CDFH 20 0.71V IF=10A 70μA Common Cathode Dual ✓ ☆YQ30NL10CD ☆YQ30NL10CDFH 30 0.72V IF=15A 100μA - ☆YQ40NL10CD ☆YQ40NL10CDFH 40 IF=20A 160μA - ☆YQ60NL10CD ☆YQ60NL10CDFH 60 0.77V IF=30A 200μA - ・封裝（ ）內的數字乃表示ROHM封裝。 ☆: 開發中 *本次新產品發布及網購銷售之TO-277GE封裝產品、是針對車用資訊娛樂系統・車身電子應用開發的規格等級。 在各產品型號中、同一型號針對動力總成應用的產品規格正在準備中、預計2024年9月起開始量產。（接在上述型號後方的「包裝記號」會有差異。） ＜支援頁面和參考資訊＞ ROHM的官網提供了可了解新產品電路優勢的應用指南，以及介紹包括新產品等各SBD系列產品特點的白皮書。在SBD產品頁面中，可以透過輸入耐壓條件等參數來縮小產品範圍，有助設計時順利選擇產品。詳情請至以下網站： ■ROHM SBD產品頁面 https://www.rohm.com.tw/products/diodes/schottky-barrier-diodes ■應用指南 《車載小型高效蕭特基二極體「YQ系列」的優勢》 https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf ■白皮書 有助車載、工業和消費性電子設備小型化並降低損耗的ROHM SBD產品陣容 https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf ＜電商銷售資訊＞ 電商平台：MOUSER、Digi-Key等。 ＜名詞解釋＞ *1）反向恢復時間：trr（Reverse Recovery Time） 開關二極體從導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。該值越低，開關時的損耗越小。 *2）順向電壓：VF（Forward Voltage） 當電流沿從＋到－的方向流動時產生的電壓降。該值越低，效率越高。 *3）逆向電流：IR（Reverse Current） 外加逆向電壓時產生的逆向電流。該值越低，功耗（逆功耗）越小。 *4）熱失控 當向二極體外加逆向電壓時，內部的晶片發熱量超過了封裝的散熱量，導致IR值增加，最終造成損壞的現象稱為熱失控。IR值高的SBD尤其容易發生熱失控，因此在設計電路時需要格外注意。 ＜Video＞ ＜新產品參考資料"Featured Products"＞ 100V耐壓 高性能蕭特基二極體 YQ系列（PDF:1.2MB） 關於此產品的諮詢
ROHM推出業界最高等級※trr的100V耐壓SBD「YQ系列」
採用溝槽MOS結構 使難以兼顧的VF和IR相比以往得到顯著改善
非常適用於汽車LED頭燈等高速開關應用
※2024年1月31日 ROHM調查
2024年1月31日
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr*1的100V耐壓蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）「YQ系列」。
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。
「YQ系列」是繼以往支援各種電路應用的4個SBD系列之後推出的新系列產品，也是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計，實現了業界最高等級trr（15ns），與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此有助降低應用產品功耗。另外透過採用溝槽MOS結構，與以往採用平面結構的SBD相比，順向施加時的損耗VF*2和逆向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等順向使用時的功率損耗，還可以降低對於SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優勢使該系列產品非常適用於容易發熱的車載LED頭燈的驅動電路、xEV用DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。
新產品從2023年12月起已全部投入量產（樣品價格：300日元～/個，未稅），樣品也開始透過電商平台銷售。今後ROHM將持續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元件的品質，並繼續加強別具特色的產品陣容，為應用產品進一步實現小型化和低功耗貢獻力量。
＜關於SBD的溝槽MOS結構＞
溝槽MOS結構是在磊晶片層中形成溝槽（溝槽MOS）並用多晶矽填充的結構，該種結構可以緩和電場集中，從而可以降低磊晶片層的電阻率，在順向施加時VF更低。另外當逆向施加時，可以緩和電場集中現象，從而實現更低的IR。前述的「YQ系列」透過採用此種溝槽MOS結構，與以往產品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。
另一方面，在普通溝槽MOS結構中，寄生電容（元件中的電阻分量）較大，因此trr會比平面結構的差。「YQ系列」不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM獨家結構設計，實現了約15ns的業界最高等級trr。由於可將開關時的損耗降低約26%，因此非常有助降低應用產品功耗。
＜應用範例＞
・汽車LED頭燈 ・xEV用DC-DC轉換器 ・工業設備電源 ・照明
＜產品陣容＞
封裝尺寸
mm[inch]
（對應AEC-Q101）
[V]
[A]
[℃]
（PMDE）
2513[1005]
SOD-123FL
（PMDU）
3516[1408]
SOD-128
（PMDTM）
4725[1910]
TO-277A
（TO-277GE）
6546[2618]
TO-252AA
（TO-252M / TO-252GE）
10066[3926]
TO-263AB
（TO-263L）
151101[5940]
・封裝（ ）內的數字乃表示ROHM封裝。
☆: 開發中
*本次新產品發布及網購銷售之TO-277GE封裝產品、是針對車用資訊娛樂系統・車身電子應用開發的規格等級。
在各產品型號中、同一型號針對動力總成應用的產品規格正在準備中、預計2024年9月起開始量產。（接在上述型號後方的「包裝記號」會有差異。）
＜支援頁面和參考資訊＞
ROHM的官網提供了可了解新產品電路優勢的應用指南，以及介紹包括新產品等各SBD系列產品特點的白皮書。在SBD產品頁面中，可以透過輸入耐壓條件等參數來縮小產品範圍，有助設計時順利選擇產品。詳情請至以下網站：
■ROHM SBD產品頁面
https://www.rohm.com.tw/products/diodes/schottky-barrier-diodes
■應用指南
《車載小型高效蕭特基二極體「YQ系列」的優勢》
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf
■白皮書
有助車載、工業和消費性電子設備小型化並降低損耗的ROHM SBD產品陣容
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf
＜電商銷售資訊＞
電商平台：MOUSER、Digi-Key等。
＜名詞解釋＞
＜Video＞
＜新產品參考資料"Featured Products"＞
100V耐壓
高性能蕭特基二極體
YQ系列（PDF:1.2MB）
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採用溝槽MOS結構 使難以兼顧的VF和IR相比以往得到顯著改善
計畫作為LAPIS半導體宮崎第二工廠展開運營