YQ8RSM10SD (新產品)
Trench MOS Structure, 100V, 8A, TO-277GE, Highly Efficient SBD
YQ8RSM10SD (新產品)
Trench MOS Structure, 100V, 8A, TO-277GE, Highly Efficient SBD
The YQ8RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.
Product Detail
規格:
Configuration
Single
Package Code
TO-277A
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
8
IFSM[A]
140
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.67
IF @ Forward Voltage [A]
8
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.06
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
4.6x6.5 (t=1.2)
功能:
- High reliability
- Power mold type
- Low VF and low IR
- Low capacitance
Supporting Information
背景
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。
概要
「YQ系列」，是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計，實現了業界最高等級trr（15ns），與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此有助降低應用產品功耗。另外透過採用溝槽MOS結構，與以往採用平面結構的SBD相比，順向施加時的損耗VF和逆向施加時的損耗IR均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等順向使用時的功率損耗，還可以降低對於SBD而言最令人擔心的熱失控風險。這些優勢使該系列產品非常適用於容易發熱的車載LED頭燈的驅動電路、xEV用DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。
應用範例
・汽車LED頭燈 ・xEV用DC-DC轉換器 ・工業設備電源 ・照明
