YQ8RSM10SDTF
溝槽式MOS結構，100V，8A，TO-277GE，高效SBD，適用於車電用
YQ8RSM10SDTF
溝槽式MOS結構，100V，8A，TO-277GE，高效SBD，適用於車電用
YQ8RSM10SDTF是一款高效的蕭特基二極體，旨在改善低VF和低IR之間的權衡。儘管其VF較低，它在高溫下仍能實現穩定運行。適用於開關電源、續流二極體和反向極性保護應用。
Product Detail
規格:
Configuration
Single
Package Code
TO-277A
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
8
IFSM[A]
140
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.67
IF @ Forward Voltage [A]
8
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.06
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
6.5x4.6 (t=1.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
功能:
- 高可靠度
- 功率模組類型
- 低VF和低IR
- 低電容
Supporting Information
背景
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。
概要
「YQ系列」，是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計，實現了業界最高等級trr（15ns），與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此有助降低應用產品功耗。另外透過採用溝槽MOS結構，與以往採用平面結構的SBD相比，順向施加時的損耗VF和逆向施加時的損耗IR均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等順向使用時的功率損耗，還可以降低對於SBD而言最令人擔心的熱失控風險。這些優勢使該系列產品非常適用於容易發熱的車載LED頭燈的驅動電路、xEV用DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。
應用範例
・汽車LED頭燈 ・xEV用DC-DC轉換器 ・工業設備電源 ・照明
Videos & Catalogs
