產品陣容 電商銷售資訊 新產品參考資料 2023年8月22日 半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的Dual MOSFET新產品。新產品分為「HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列」和「HP8MEx（Nch+Pch*2）系列」共5款新機型。 近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。 在此背景下，ROHM以全新製程推出Nch和Pch的MOSFET晶片，透過採用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發出具業界超低導通電阻的新系列產品。 新產品透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現業界超低導通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與市場上的Dual MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助降低應用設備功耗。另外透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。例如HSOP8封裝產品，若替換掉二顆Single MOSFET（僅內建一顆晶片的TO-252封裝），將可減少77%的安裝面積。 新產品已於2023年7月開始暫以每月100萬個（樣品價格 550日元/個，未稅）的規模投入量產。另外新產品也已開始透過電商平台銷售。 目前，ROHM正針對工控設備應用領域擴大Dual MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發低雜訊產品。今後，將持續助力各種應用產品進一步降低功耗並節省空間，為解決環保等社會問題不斷貢獻力量。 ＜產品陣容＞ Nch+Nch Dual MOSFET 產品型號 Datasheet 極性 [ch] VDSS [V] ID[A] TC=25℃ PD[W] TC=25℃ RDS（on）[mΩ] 封裝 [mm] VGS=10V VGS=4.5V Typ. Max. Typ. Max. HP8KE6 N＋N 100 17 21 41 54 53 73 HSOP8 （5.0×6.0×1.0） HP8KE7 24 26 15.1 19.6 18.6 27.8 HT8KE5 N＋N 100 7 13 148 193 200 300 HSMT8 （3.3×3.3×0.8） HT8KE6 13 14 44 57 56 83 Nch+Pch Dual MOSFET 產品型號 Datasheet 極性 [ch] VDSS [V] ID[A] TC=25℃ PD[W] TC=25℃ RDS（on）[mΩ] 封裝 [mm] VGS=10V VGS=4.5V Typ. Max. Typ. Max. HP8ME5 N＋P 100 8.5 20 148 193 200 300 HSOP8 （5.0×6.0×1.0） －100 －8.0 210 273 233 303 * 預計逐步增加40V、60V、80V、150V的產品陣容。 ＜應用範例＞ ・通訊基地台用風扇馬達 ・FA設備等工控設備用風扇馬達 ・資料中心等伺服器用風扇馬達 ＜透過與預驅動器IC相結合，為馬達驅動提供更出色的解決方案＞ ROHM透過結合新產品與已具有豐富應用實績的單相和三相無刷馬達用預驅動器IC，使馬達電路板進一步小型化、實現低功耗和靜音驅動。透過為週邊電路設計提供Dual MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支援，為客戶提供滿足其需求且更為出色的馬達驅動解決方案。 結合100V耐壓Dual MOSFET的範例 ■HT8KE5（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64070MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC） ■HP8KE6（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64300MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC）等 ＜電商銷售資訊＞ 開始銷售時間：2023年8月起 電商平台：MOUSER、Digi-Key等。 ＜馬達用新產品規格書資料下載頁面＞ 從ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書。 https://www.rohm.com.tw/new-product/middle-power ＜名詞解釋＞ *1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱） 正式名稱為「金屬－氧化物－半導體場效電晶體」，是FET中最常用的結構。常用來當作開關元件。 *2) Pch MOSFET和Nch MOSFET Pch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。可用比低於輸入電壓低的電壓驅動，因此電路結構較為簡單。 Nch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。與Pch MOSFET相比，汲極~源極間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。 *3) 導通電阻（Ron） 使MOSFET動作（ON）時汲極與源極之間的電阻值。該值越小，則動作時的損耗（功率損耗）越少。 ＜新產品參考資料"Featured Products"＞ 實現業界超低導通電阻的 100V耐壓Dual MOSFET HP8KEx/HT8KEx系列、HP8ME5（PDF:1.25MB） 關於此產品的諮詢
ROHM推出5款全新100V耐壓Dual MOSFET
以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻
非常適用於通訊基地台和工控設備等風扇馬達 有助降低應用設備功耗和節省空間
2023年8月22日
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的Dual MOSFET新產品。新產品分為「HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列」和「HP8MEx（Nch+Pch*2）系列」共5款新機型。
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。
在此背景下，ROHM以全新製程推出Nch和Pch的MOSFET晶片，透過採用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發出具業界超低導通電阻的新系列產品。
新產品透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現業界超低導通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與市場上的Dual MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助降低應用設備功耗。另外透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。例如HSOP8封裝產品，若替換掉二顆Single MOSFET（僅內建一顆晶片的TO-252封裝），將可減少77%的安裝面積。
新產品已於2023年7月開始暫以每月100萬個（樣品價格 550日元/個，未稅）的規模投入量產。另外新產品也已開始透過電商平台銷售。
目前，ROHM正針對工控設備應用領域擴大Dual MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發低雜訊產品。今後，將持續助力各種應用產品進一步降低功耗並節省空間，為解決環保等社會問題不斷貢獻力量。
＜產品陣容＞
Nch+Nch Dual MOSFET
[ch]
[V]
TC=25℃
TC=25℃
[mm]
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）
HSMT8
（3.3×3.3×0.8）
Nch+Pch Dual MOSFET
[ch]
[V]
TC=25℃
TC=25℃
[mm]
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）
* 預計逐步增加40V、60V、80V、150V的產品陣容。
＜應用範例＞
・通訊基地台用風扇馬達
・FA設備等工控設備用風扇馬達
・資料中心等伺服器用風扇馬達
＜透過與預驅動器IC相結合，為馬達驅動提供更出色的解決方案＞
ROHM透過結合新產品與已具有豐富應用實績的單相和三相無刷馬達用預驅動器IC，使馬達電路板進一步小型化、實現低功耗和靜音驅動。透過為週邊電路設計提供Dual MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支援，為客戶提供滿足其需求且更為出色的馬達驅動解決方案。
結合100V耐壓Dual MOSFET的範例
■HT8KE5（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64070MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC）
■HP8KE6（Nch+Nch Dual MOSFET）和BM64300MUV（三相無刷馬達用預驅動器IC）等
＜電商銷售資訊＞
開始銷售時間：2023年8月起
電商平台：MOUSER、Digi-Key等。
＜馬達用新產品規格書資料下載頁面＞
從ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書。
https://www.rohm.com.tw/new-product/middle-power
＜名詞解釋＞
Nch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。與Pch MOSFET相比，汲極~源極間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。
＜新產品參考資料"Featured Products"＞
實現業界超低導通電阻的
100V耐壓Dual MOSFET
HP8KEx/HT8KEx系列、HP8ME5（PDF:1.25MB）
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