HT8KE6 (新產品)
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET
HT8KE6 (新產品)
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET
HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Product Detail
規格:
Package Code
HSMT8D (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.056
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.056
Total gate charge Qg[nC]
3.3
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
功能:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package (HSMT8)
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Halogen Free
Supporting Information
背景
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。
概要
透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現業界超低導通電阻（Ron）。另外透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。
應用範例
・通訊基地台用風扇馬達
・FA設備等工控設備用風扇馬達
・資料中心等伺服器用風扇馬達
