HT8KE6
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET

HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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本產品不建議使用的車載設備。
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Product Detail

 
料號 | HT8KE6TB1
狀態 | 推薦品
封裝 | HSMT8 (Symmetry Dual)
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes

規格:

Package Code

HSMT8D (3.3x3.3)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.056

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.056

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

14

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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功能:

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating; RoHS compliant
  • Halogen Free

Supporting Information

 

背景

近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。

概要

透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現業界超低導通電阻（Ron）。另外透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。

應用範例

・通訊基地台用風扇馬達
・FA設備等工控設備用風扇馬達
・資料中心等伺服器用風扇馬達

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