ROHM Product Detail

HP8ME5
100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, 功率MOSFET

HP8ME5是一款非常適合開關應用的低導通電阻MOSFET。

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* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | HP8ME5TB1
狀態 | 推薦品
封裝 | HSOP8 (Symmetry Dual)
包裝形式 | Taping
單位數量 | 2500
最小包裝數量 | 2500
RoHS | Yes

規格:

Package Code

HSOP8D (5x6)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

8.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.148

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.2

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

4.9x6.0 (t=1.1)

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功能:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free

Supporting Information

 

背景

近年來,在通訊基地台和工控設備的應用領域,為了降低電流值並提高效率,以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源,考慮到電壓波動,負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面,提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高,導致效率變差,因此,如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻,成了一大挑戰。另外,風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動,為了節省空間,對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。

概要

透過ROHM全新製程和背面散熱封裝,實現業界超低導通電阻(Ron)。另外透過將二顆晶片一體化封裝,可減少安裝面積,有助應用設備節省空間。

應用範例

・通訊基地台用風扇馬達
・FA設備等工控設備用風扇馬達
・資料中心等伺服器用風扇馬達

 

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