半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品(TO-263-7L)相比,散熱性提升約39%,雖然兼具小型化及薄型化,卻能支援大功率。該產品非常適用於功率密度日益提高的伺服器電源、ESS(儲能系統)、以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。

與傳統封裝產品相比,新產品的體積更小更薄,元件面積削減了約26%,並且厚度減半,僅為2.3mm。另外很多TOLL封裝的市場競品的汲-源額定電壓為650V,而ROHM新產品則達到750V。因此即使考慮到突波電壓等因素仍可抑制閘極電阻,有助降低開關損耗。
產品陣容中包括13mΩ至65mΩ導通電阻共6款機型,已於2025年9月開始量產(樣品價格:5,500日元/個,未稅),並開始透過電商平台銷售。另外ROHM官網亦提供6款新產品的模擬模型,協助客戶立即進行電路設計。
<開發背景>
在AI伺服器和小型PV Inverter等應用中,功率呈現日益提高的趨勢,同時與之難以兼顧的小型化需求也與日俱增,因此功率MOSFET也必須具有更高的功率密度。特別是被稱為「披薩盒」的超薄型電源,其圖騰柱PFC電路*1需要滿足厚度4mm以下的嚴苛要求。為滿足上述市場需求,ROHM推出厚度僅為2.3mm、遠低於傳統4.5mm封裝產品的TOLL封裝SiC MOSFET。
<應用示例>
・工業設備:AI伺服器和資料中心電源、PV Inverter、ESS(儲能系統)
・消費性電子:一般電源
<電商銷售資訊>
開始發售時間:2025年10月起
<名詞解釋>
- *1) 圖騰柱型PFC電路
- 一種高效率的功率因數校正電路方式,透過MOSFET作為整流元件來降低二極體損耗。如採用SiC MOSFET,則可實現高耐壓、高效率及支援高溫運行的電源。
<關於「EcoSiC™」品牌>
EcoSiC™為採用性能優於矽(Si)、並在功率元件領域備受關注的碳化矽(SiC)的元件品牌。從晶圓生產到製程、封裝和品管,ROHM持續自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外ROHM在製造過程中採用了垂直整合生產體制,因此確立了SiC領先企業的地位。
・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
兼顧小型化且對應大功率! ROHM開始量產TOLL封裝SiC MOSFET
2025年10月21日
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品(TO-263-7L)相比,散熱性提升約39%,雖然兼具小型化及薄型化,卻能支援大功率。該產品非常適用於功率密度日益提高的伺服器電源、ESS(儲能系統)、以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。
與傳統封裝產品相比,新產品的體積更小更薄,元件面積削減了約26%,並且厚度減半,僅為2.3mm。另外很多TOLL封裝的市場競品的汲-源額定電壓為650V,而ROHM新產品則達到750V。因此即使考慮到突波電壓等因素仍可抑制閘極電阻,有助降低開關損耗。
產品陣容中包括13mΩ至65mΩ導通電阻共6款機型,已於2025年9月開始量產(樣品價格:5,500日元/個,未稅),並開始透過電商平台銷售。另外ROHM官網亦提供6款新產品的模擬模型,協助客戶立即進行電路設計。
<開發背景>
在AI伺服器和小型PV Inverter等應用中,功率呈現日益提高的趨勢,同時與之難以兼顧的小型化需求也與日俱增,因此功率MOSFET也必須具有更高的功率密度。特別是被稱為「披薩盒」的超薄型電源,其圖騰柱PFC電路*1需要滿足厚度4mm以下的嚴苛要求。為滿足上述市場需求,ROHM推出厚度僅為2.3mm、遠低於傳統4.5mm封裝產品的TOLL封裝SiC MOSFET。
<產品陣容>
Sheet
[V]
[mΩ]
[A]
[W]
[°C]
<應用示例>
・工業設備:AI伺服器和資料中心電源、PV Inverter、ESS(儲能系統)
・消費性電子:一般電源
<電商銷售資訊>
開始發售時間:2025年10月起
<名詞解釋>
<關於「EcoSiC™」品牌>
EcoSiC™為採用性能優於矽(Si)、並在功率元件領域備受關注的碳化矽(SiC)的元件品牌。從晶圓生產到製程、封裝和品管,ROHM持續自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外ROHM在製造過程中採用了垂直整合生產體制,因此確立了SiC領先企業的地位。
・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
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