RYC002N05
0.9V驅動N溝道MOSFET
RYC002N05
0.9V驅動N溝道MOSFET
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Description
MOSFETs利用適用於行動裝置的微處理技術,以極低的導通電阻進行製造,因此可降低電流消耗。本公司擁有包含小型、高功率型、複合型等廣泛的產品陣容,足以滿足市場需求。
Product Detail
Specifications
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
Features
· 低電壓 (0.9V) 驅動型· N溝道小信號MOSFET
· 小型表面貼裝式封裝
· 無鉛/符合RoHS標準