ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET
適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用

 

2021年7月1日

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出適用於FA等工控裝置和基地台(冷卻風扇)24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual MOSFET*1「QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)」。

近年來,為了支援工控裝置和基地台馬達所使用的24V輸入,驅動元件MOSFET需要考慮到電壓變動所需的餘裕度,所以要求要40V和60V的耐壓能力。此外,在提高馬達效率並縮減體積方面,對於MOSFET出現進一步降低導通電阻和高速切換的需求。
在此背景下,ROHM繼2020年年底發佈新一代Pch MOSFET*2之後,此次Nch再推出了採用新微細製程的第6代40V和60V耐壓MOSFET。因此,使ROHM在支援24V輸入的±40V和±60V耐壓等級擁有了領先業界的Nch+Pch Dual MOSFET產品。此外,為了滿足更廣泛的市場需求,ROHM還研發出+40V和+60V耐壓的「QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)」,產品系列已達12款。

本系列產品採用ROHM全新製程,具備業界超低導通電阻,±40V耐壓產品的導通電阻比一般品降低61%(Dual MOSFET的Pch部分比較),有助進一步降低各裝置的功耗。此外,透過將二顆元件匯集到一個封裝中,可減少安裝面積進而達到裝置小型化,還有助減少元件選擇(Nch和Pch的組合)的時間。
本系列產品已於2021年3月開始暫以每月100萬個的規模投入量產(樣品價格 250日元/個,未稅),也已開始於電商平台銷售。

 

<新產品特點>

1.具備業界超低導通電阻

ROHM本次研發的Dual MOSFET產品中,採用全新製程±40V耐壓產品,與一般品相比,Pch部分的導通電阻降低多達61%,Nch部分的導通電阻也降低達39%,有助降低應用裝置功耗。

2.發揮Dual MOSFET專屬特性,有助裝置小型化並縮短設計週期

在一個封裝中內建二顆元件,有助裝置小型化和減少元件選擇時間。在小型化方面,如果將傳統的Nch+Pch Dual MOSFET(SOP8)替換成新產品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

 

<與預設驅動IC結合,提供更優異的馬達驅動解決方案>

將本產品與具有豐富實績的ROHM單相和三相無刷馬達預設驅動IC相結合,可以進一步達成馬達小型化、低功耗和靜音驅動。並且全面支援以Dual MOSFET系列和預設驅動IC所組成的周邊電路設計,提供滿足客戶需求的馬達驅動解決方案。

組合範例

  • ■QH8MC5(±60V耐壓Nch+Pch Dual MOSFET)和BD63001AMUV(三相無刷馬達預設驅動IC)
  • ■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET)和BM62300MUV(三相無刷馬達預設驅動IC)
  • ■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET)和BD63002AMUV(三相無刷馬達預設驅動IC)等

<產品系列>

Nch+Pch Dual MOSFET

產品型號 極性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD
(W)
Ron Max(mΩ)
*VGS=10V
Data Sheet Spice
Model
封裝
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SH8MB5
N+P 40 8.5 2 19.4 SOP8
SOP8
(6mm×5mm×1.75mm)
-40 -8.5 16.8
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SH8MC5
60 6.5 32
-60 -7 33
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QH8MB5
40 4.5 1.5 44 TSMT8
TSMT8
(2.8mm×3mm×0.8mm)
-40 -5 41
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QH8MC5
60 3 90
-60 -3.5 91

Nch+Nch Dual MOSFET

產品型號 極性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD
(W)
Ron Max(mΩ)
*VGS=10V
Data Sheet Spice
Model
封裝
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SH8KB7
N+N 40 13.5 2 8.4 SOP8
SOP8
(6mm×5mm×1.75mm)
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SH8KB6
8.5 19.4
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SH8KC7
60 10.5 12.4
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SH8KC6
6.5 32
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QH8KB6
40 8 1.5 17.7 TSMT8
TSMT8
(2.8mm×3mm×0.8mm)
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QH8KB5
4.5 44
Newicon
QH8KC6
60 5.5 30
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QH8KC5
3 90

<應用範例>

  • ■FA裝置、機器人等工控裝置和基地台風扇馬達
  • ■大型消費電子裝置用風扇馬達

<名詞解釋>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)
正式名稱為「金屬-氧化物-半導體場效電晶體」,是FET中最常用的結構。常用來當作切換元件。
*2) Pch MOSFET / Nch MOSFET
Pch MOSFET:透過閘極外加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。
可用比低於輸入電壓低的電壓驅動,因此電路結構較為簡單。
Nch MOSFET:透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比,汲極~源極間的導通電阻更小,因此可減少常規損耗。
*3) 導通電阻
使MOSFET動作(ON)時汲極與源極之間的電阻值。該值越小,則動作時的損耗(功率損耗)越少。
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