ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」
降低35%開關損耗 有助實現低功耗應用

2019年9月24日

<概要>

半導體製造商ROHM(總公司:日本國京都市)推出6款溝槽閘結構※1)SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品(耐壓650V/1200V),適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。
此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可減少約35%,有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。
另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」,其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各類電源IC及離散式產品,是一款容易進行元件評估的解決方案。
本系列產品已於2019年8月起以每月50萬個的規模逐步投入量產(樣品價格2,100日元起,不含稅)。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。

<背景>

近年來隨著AI和IoT的發展,雲端服務的需求日益增加的同時,全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高性能方向發展,因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面,傳統伺服器的功率轉換電路中,主要是採用矽(Si)元件,但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其,與傳統封裝相比,採用TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,可降低開關損耗,因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。
既2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構SiC MOSFET後,此次開發出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來也會在開發各種革新性元件的同時,推出適合SiC驅動的閘極驅動器IC解決方案,降低各類設備的功耗。

 

<特點>

採用4引腳封裝(TO-247-4L),開關損耗減少約35%

在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感成分※2)易引起閘極電壓下降,並延遲開關速度。本次SCT3xxx xR系列所採用的4引腳封裝(TO-247-4L),可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此可減低電感成分的影響,充分發揮SiC MOSFET高速開關的性能,還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比,導通損耗和關斷損耗合計約可減少35%的損耗。

 

<產品陣容>

SCT3xxx xR系列為採用溝槽閘結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型,其中包括3款650V的機型和3款1200V的機型。

產品型號 汲極・
源極間電壓
VDS[V]
汲極・
源極間導通電阻
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
汲極電流
ID@25℃
[A]
汲極損耗
PD
[W]
工作溫度範圍
[℃]
封裝

SCT3030AR
650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR
60 39 165

SCT3080AR
80 30 134

SCT3040KR
1200 40 55 262

SCT3080KR
80 31 165

SCT3105KR
105 24 134

<應用範例>

伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站 等。

<評估板資訊>

SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」中內建適合於驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及離散式產品,可輕易進行評估。為了提供相同條件的評估環境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,還能安裝並評估TO-247N封裝的產品。另外該評估板還可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

開始銷售時間: 2019年9月
評估板型號: P02SCT3040KR-EVK-001
支援網頁: www.rohm.com.tw/power-device-support

 

<名詞解釋>

*1  溝槽閘結構
溝槽(Trench)意為凹槽。是在晶片表面組成凹槽,並在其側壁組成MOSFET閘極的結構。因為沒有平面型MOSFET結構上的JFET電阻,所以比平面結構更容易進行精密切割,有望達到近似於SiC材料原本性能的導通電阻。
*2  電感成分
表示電流變化時由電磁感應產生之電動勢大小的量。

 

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