1200V Nch 4引腳封裝 SiC-MOSFET - SCT3080KR (新產品)

SCT3080KR是非常適用於要求高效率的伺服器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽閘結構SiC MOSFET。採用電源源極引腳和驅動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠最大限度地發揮出高速開關性能,尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導通損耗和關斷損耗合計可降低約35%。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT3080KRC14
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247-4L
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80.0

Drain Current[A]

31.0

Total Power Dissipation[W]

165

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • High efficiency 4pin package
  • Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'