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ROHM開發出實現業界頂級※低損耗650V耐壓IGBT

※2026年6月25日 ROHM調查

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時具備出色的短路耐受能力*2，符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*3。

第4代650V耐壓IGBT

該產品透過改善製程以及包含週邊結構在內的元件結構，提高了電流密度，同時降低了導通損耗和開關損耗。而且與低損耗特性難以兼顧的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達到7微秒（μs）。因此非常有助應用產品進一步提高效率和可靠性。

產品陣容包括採用TO-247N封裝的「RGAxxTS65HR／RGAxxTS65EHR」共12個型號，和裸晶片形式的「SG83xxWN」共10個型號。另外ROHM也正在開發TO-247-4L封裝的「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」共12個型號的產品。

本系列產品已於2026年5月起以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格1,300日元/個，未稅）。TO-247N封裝產品也開始透過電商平台進行銷售。此外ROHM還提供多種設計模型和電路設計所需的資料，使用者可從ROHM官網下載。

ROHM今後計畫進一步擴充同封裝形式的型號陣容，並開發採用TO-263L封裝和頂部散熱（TSC：Top-Side Cooling）封裝的小型化表面安裝IGBT產品。致力透過擴充高性能的IGBT產品陣容，助力汽車和工業設備應用實現高效驅動及小型化。

＜開發背景＞

隨著電動車向更高電壓方向發展，在主驅逆變器等大功率應用中，高效SiC元件加速普及；而在車載電動壓縮機、HV加熱器等功率容量較小的輔助設備中，則廣泛採用650V耐壓的IGBT作為開關元件。另外在工業設備領域，以馬達和壓縮機為主的應用也廣泛採用了矽基IGBT，預計未來上述需求仍將持續成長。

此類應用需要更節能和更小的外殼尺寸，同時對功率元件也出現了提高可靠性、更小型化、更高效的強烈需求。特別是對於逆變器和加熱器電路而言，在短路時從檢測出過電流到切斷電流時的短路耐受能力至關重要。在此背景下，ROHM透過改善元件結構，開發出既支援高電壓，同時實現低損耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

＜產品陣容＞

Discrete產品

Part No. Data
Sheet		 Collector-
Emitter Voltage
VCES
[V]		 Collector
Current
IC
(TC=100℃)
[A]		 Conduction
Loss
VCE(sat)
(Typ.)
[V]		 Short-Circuit
Withstand Time
TSC
(Tj=25℃)
[μs]		 Built-In Fast
Recovery
Diode		 Operating
Temperature
Range
Tj
[℃]		 AEC-Q101 Package
NewRGA60TS65HR PDF 650 35 1.55 7 - -40 to +175 Yes TO-247N Package
TO-247N
(16.0×21.0×5.0mm)
NewRGA60TS65EHR PDF ○
NewRGA80TS65HR PDF 44 -
NewRGA80TS65EHR PDF ○
NewRGA00TS65HR PDF 52 -
NewRGA00TS65EHR PDF ○
NewRGAX2TS65HR PDF 62 -
NewRGAX2TS65EHR PDF ○
NewRGAX5TS65HR PDF 74 1.60 -
NewRGAX5TS65EHR PDF ○
NewRGAY0TS65HR PDF 88 1.65 -
NewRGAY0TS65EHR PDF ○

 

 
Part No. Data
Sheet		 Collector-
Emitter Voltage
VCES
[V]		 Collector
Current
IC
(TC=100℃)
[A]		 Conduction
Loss
VCE(sat)
(Typ.)
[V]		 Short-Circuit
Withstand Time
TSC
(Tj=25℃)
[μs]		 Built-In Fast
Recovery
Diode		 Operating
Temperature
Range
Tj
[℃]		 AEC-Q101 Package
☆ RGA60TR65HR - 650 35 1.55 7 - -40 to +175 Yes TO-247-4L Package
TO-247-4L
(16.0×23.45×5.0mm)
☆ RGA60TR65EHR - ○
☆ RGA80TR65HR - 44 -
☆ RGA80TR65EHR - ○
☆ RGA00TR65HR - 52 -
☆ RGA00TR65EHR - ○
☆ RGAX2TR65HR - 62 -
☆ RGAX2TR65EHR - ○
☆ RGAX5TR65HR - 74 1.60 -
☆ RGAX5TR65EHR - ○
☆ RGAY0TR65HR - 88 1.65 -
☆ RGAY0TR65EHR - ○

☆ : Under Development

 

裸晶片產品

Part No. Data
Sheet		 Collector-
Emitter Voltage
VCES
[V]		 Collector
Current
IC
(TC=100℃)
[A]		 Conduction
Loss
VCE(sat)
(Typ.)
[V]		 Short-Circuit
Withstand Time
TSC
(Tj=25℃)
[μs]		 Chip Size
X
[mm]		 Y
[mm]		 Thickness
[μm]
NewSG8351WN PDF 650 20 1.55 7 3.08 3.08 75
NewSG8352WN PDF 25 3.10 3.48
NewSG8353WN PDF 30 3.52 3.52
NewSG8359WN PDF 40 3.74 4.10
NewSG8355WN PDF 50 4.20 4.39
NewSG8356WN PDF 60 3.90 5.48
NewSG8358WN PDF 75 4.50 5.70
NewSG8357WN PDF 100 5.70 5.70
☆ SG8360WN - 150 6.82 6.82
☆ SG8361WN - 200 7.75 7.75

＜應用示例＞

◇車載電動壓縮機
◇車載HV加熱器（PTC加熱器，冷卻液加熱器）
◇工業設備用變頻器

＜支援資訊＞

ROHM官網提供多種電路設計所需的資料，包括可忠實重現產品電氣特性的SPICE模型，以及電路模擬用的PLECS模型等，均可從ROHM官網進行下載。更多詳情請參閱Field Stop Trench IGBT產品資訊。

＜關於「EcoIGBT™」品牌＞

EcoIGBT™是指ROHM開發的IGBT產品品牌名稱，包括了元件和模組，非常適用於功率元件領域、對耐壓能力要求高的應用。從晶圓生產到製程、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發功率元件產品升級所需的技術。

EcoIGBT™ Logo

・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

＜名詞解釋＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低導通損耗特性的功率電晶體。
*2) 短路耐受能力
當負載等短路時，功率元件能夠承受而不至於損壞的時間。
*3) 汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車製造商和美國大型電子元件製造商聯手制定的汽車電子元件可靠性標準。其中Q101是特別針對離散式半導體元件（電晶體、二極體等）而制定的標準。