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ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU(備用電池單元)中。隨著生成式AI的普及,AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC(高壓直流供電)架構演進,在此背景下,ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件。

SiC MOSFET SCT4013DLL

隨著生成式AI的普及,GPU的性能不斷提升,資料中心的功耗急遽增加。針對此課題,相關產品正在加速採用可降低輸電損耗的HVDC架構。在這種大功率、高電壓環境中,為了在停電或瞬停等異常情況下保護系統及大量資料,以伺服器機架為單位進行電力補償的BBU和CU(Capacitor Unit)變得越來越重要。

本次被採用的產品是750V耐壓的SiC MOSFET「SCT4013DLL」,配置於AI伺服器用±400V供電架構的電源單元中。該產品可充分發揮SiC的特性,具備最高接面溫度(Tj)達175°C的優異耐高溫性能,即使在因電壓和功率密度日益提升而導致發熱量增加的BBU中也能穩定工作。

另外在次世代800VDC供電架構中,由於供給BBU內部電池組的電源電壓約為560V,因此同樣可以使用750V耐壓的ROHM SiC MOSFET。

次世代AI伺服器的HVDC電源所需的備份系統,要能夠在發生異常時,可立即且以低損耗的方式控制高電壓和大電流。針對上述嚴苛要求,兼具高耐壓、低損耗、耐高溫特性的SiC功率元件,成為電力控制核心的關鍵元件而備受期待。

ROHM今後將繼續關注AI伺服器及資料中心市場的發展,不斷強化SiC、GaN及矽材料功率元件的開發與供貨。同時透過與類比IC等產品組合的整合解決方案,為提高電力效率和實現永續發展社會貢獻力量。

<關於「EcoSiC™」品牌>

EcoSiC™為採用性能優於矽(Si)、並在功率元件領域備受關注的碳化矽(SiC)的元件品牌。從晶圓生產到製程、封裝和品管,ROHM持續自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外ROHM在製造過程中採用了垂直整合生產體制,因此確立了SiC領先企業的地位。

EcoSiC™ Logo

EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

<相關資訊>

ROHM已在官網上公開SiC功率元件的概要、可依條件進行選擇的「簡易搜索」功能,以及支援評估和導入的各種設計模型。相關技術資料及本文相關資料請參閱下方連結:

・應用指南:4th Gen SiC MOSFETs Discrete Package: Characteristics and Precautions for Circuit Design
・應用指南:Application Benefits of Using 4th Generation SiC MOSFETs
・白皮書:ROHM’s 800VDC Architecture Solutions for AI Servers
・Special Dialogue:HVDC for AI servers (資料中心的電力問題日益嚴重—Delta與ROHM傾力打造HVDC的原因)