半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)的EcoGaN™ Power Stage IC已應用於電競用筆記型電腦等MSI(微星)產品的AC Adapter。這款AC Adapter由全球領先的電源製造商-台達開發,採用ROHM的EcoGaN™ Power Stage IC「BM3G005MUV-LB」,具備高速電源切換、低導通電阻等特色,結合台達先進的電源管理技術,與傳統AC Adapter產品相比,大幅縮小體積同時提升能效。
透過搭載EcoGaN™ Power Stage IC,台達為 MSI 設計的AC Adapter不僅提高供電瓦數,亦可在峰值狀態下維持一小段時間的高輸出功率,即使在要求高性能的電競高負載環境下,也能實現穩定的電力供應。
近年隨著電競用筆記型電腦處理能力的提升,其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。功耗也因此提升,市場要求AC Adapter既要提供可穩定支援此種高負荷運算處理的大功率,亦須滿足用戶對於攜帶便利性的需求,因此在提升性能的同時,如何再縮小體積已成為當務之急。
另一方面,具有低導通電阻和高速開關特性的GaN元件,因有助電源的高效工作和周邊元件(如電源電路中使用的電感等)的小型化而備受矚目。ROHM的Power Stage IC匯集了650V GaN HEMT、閘極驅動器、保護功能及周邊元件於一體,僅需替換過去的Si MOSFET,即可大幅發揮GaN HEMT的性能。
台達邊際資訊科技電源事業部總經理林政毅表示:
「結合台達最先進的電源方案和ROHM EcoGaN™ Power Stage IC技術優勢,我們成功滿足電競用筆記型電腦AC Adapter對於大功率供電、能效優化及小型化的需求,並被全球知名電競品牌MSI採用。ROHM在GaN的技術領域擁有許多優勢,也是我們長期合作的重要夥伴。我們期待未來持續透過與其技術合作,為客戶提供更多新世代的高效電源方案。」
ROHM LSI開發本部 功率GaN解決方案開發部 統括課長 名手 智表示:
「台達與ROHM在電源系統領域已合作多年。此次合作成果是台達多年累積的電源開發技術,和ROHM的功率元件開發製造技術、類比電源技術的深度融合,很高興能夠被MSI的產品所採用。今後我們不限於在電競用筆記型電腦領域,亦將在伺服器、工業設備、汽車等更廣泛的領域,致力為電源的小型化和效率提升貢獻力量。」
<關於Power Stage IC>
ROHM的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的電力電子系統,提供理想的解決方案。該產品集下一代功率元件GaN HEMT,和為了大幅發揮GaN HEMT性能而優化的閘極驅動器於一體,支援2.5V~30V的寬輸入電壓範圍,可與多種控制器IC結合使用。上述特點和優勢使其能夠取代SJ MOSFET等傳統Discrete功率開關。
<什麼是EcoGaN™>
EcoGaN™是透過大幅優化GaN的性能,助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現週邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
搭載ROHM EcoGaN™ Power Stage IC的小型高效AC Adapter
獲全球知名電競品牌MSI採用!
2025年11月06日
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)的EcoGaN™ Power Stage IC已應用於電競用筆記型電腦等MSI(微星)產品的AC Adapter。這款AC Adapter由全球領先的電源製造商-台達開發,採用ROHM的EcoGaN™ Power Stage IC「BM3G005MUV-LB」,具備高速電源切換、低導通電阻等特色,結合台達先進的電源管理技術,與傳統AC Adapter產品相比,大幅縮小體積同時提升能效。
透過搭載EcoGaN™ Power Stage IC,台達為 MSI 設計的AC Adapter不僅提高供電瓦數,亦可在峰值狀態下維持一小段時間的高輸出功率,即使在要求高性能的電競高負載環境下,也能實現穩定的電力供應。
近年隨著電競用筆記型電腦處理能力的提升,其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。功耗也因此提升,市場要求AC Adapter既要提供可穩定支援此種高負荷運算處理的大功率,亦須滿足用戶對於攜帶便利性的需求,因此在提升性能的同時,如何再縮小體積已成為當務之急。
另一方面,具有低導通電阻和高速開關特性的GaN元件,因有助電源的高效工作和周邊元件(如電源電路中使用的電感等)的小型化而備受矚目。ROHM的Power Stage IC匯集了650V GaN HEMT、閘極驅動器、保護功能及周邊元件於一體,僅需替換過去的Si MOSFET,即可大幅發揮GaN HEMT的性能。
台達邊際資訊科技電源事業部總經理林政毅表示:
「結合台達最先進的電源方案和ROHM EcoGaN™ Power Stage IC技術優勢,我們成功滿足電競用筆記型電腦AC Adapter對於大功率供電、能效優化及小型化的需求,並被全球知名電競品牌MSI採用。ROHM在GaN的技術領域擁有許多優勢,也是我們長期合作的重要夥伴。我們期待未來持續透過與其技術合作,為客戶提供更多新世代的高效電源方案。」
ROHM LSI開發本部 功率GaN解決方案開發部 統括課長 名手 智表示:
「台達與ROHM在電源系統領域已合作多年。此次合作成果是台達多年累積的電源開發技術,和ROHM的功率元件開發製造技術、類比電源技術的深度融合,很高興能夠被MSI的產品所採用。今後我們不限於在電競用筆記型電腦領域,亦將在伺服器、工業設備、汽車等更廣泛的領域,致力為電源的小型化和效率提升貢獻力量。」
<關於Power Stage IC>
ROHM的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的電力電子系統,提供理想的解決方案。該產品集下一代功率元件GaN HEMT,和為了大幅發揮GaN HEMT性能而優化的閘極驅動器於一體,支援2.5V~30V的寬輸入電壓範圍,可與多種控制器IC結合使用。上述特點和優勢使其能夠取代SJ MOSFET等傳統Discrete功率開關。
<什麼是EcoGaN™>
EcoGaN™是透過大幅優化GaN的性能,助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現週邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
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