BM3G005MUV-LB
Nano Cap™、EcoGaN™、650V 50mΩ 2MHz、GaN HEMT Power Stage IC
BM3G005MUV-LB
Nano Cap™、EcoGaN™、650V 50mΩ 2MHz、GaN HEMT Power Stage IC
此產品是針對工具機市場的產品。此產品最適合應用於這些應用中。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和效率的電子系統提供了最佳解決方案。透過將650V增強型GaN HEMT和矽驅動器整合到ROHM的原始封裝中，與傳統的離散解決方案相比，由PCB和打線引起的寄生電感顯著降低。因此，可以實現高達150 V/ns的高切換轉換速率。另一方面，可調閘極驅動強度有助於降低EMI，各種保護和其他附加功能可提供優化的成本和PCB尺寸。此IC旨在適用於主要的現有控制器，因此它也可用於取代傳統的離散功率開關，例如超級接面MOSFET。
Product Detail
規格:
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
50
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
功能:
- Nano Cap™ 整合 5V LDO
- VDD 引腳電壓的工作範圍廣
- IN 引腳電壓的工作範圍廣
- VDD 靜態和工作電流低
- 傳播延遲低
- 高 dv/dt 抗擾度
- 可調閘極驅動強度
- 電源正常訊號輸出
- VDD 欠壓鎖定保護
- 過熱關機保護
參考設計 / 應用評估套件
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- Evaluation Board - BM3G005MUV-EVK-003
The BM3G005MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
