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ROHM開始量產具業界頂級性能650V耐壓GaN HEMT
有助提升伺服器和AC適配器等電源系統效率並實現小型化

 

2023年5月18日

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已開始650V耐壓GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。

據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，SiC（Silicon Carbide：碳化矽）和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月又確立了能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化，ROHM再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是由ROHM與Delta Electronics, Inc.（以下簡稱 台達電子）的子公司—專注於GaN元件開發的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡稱 碇基半導體）聯合開發而成，在650V GaN HEMT的元件性能指數（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）方面，達到了業界頂級水準。因此新產品可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外新產品還內建ESD*3保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性。不僅如此，新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助週邊元件小型化。

新產品已於2023年4月起投入量產（樣品價格 5,000日元/個，未稅），並已經開始透過電商平台銷售。
ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN™系列」，並不斷致力進一步提高元件性能。除了元件開發，ROHM還積極與業界相關企業建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，助力提升應用產品效率並實現小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。

 

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＜什麼是EcoGaN™＞

EcoGaN

EcoGaN™是透過更大程度優化GaN的低導通電阻和高速開關性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現週邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

＜產品陣容＞

產品型號 Datasheet 汲極・
源極間
電壓
VDSS[V]		 汲極
電流
ID[A]
TC=25℃		 汲極・
源極間導通電組
RDS(on)(Typ.)
[mΩ]		 閘極
總電荷
Qg(Typ.)
[nC]		 輸入電容
Ciss(Typ.)
[pF]		 輸出電容
Coss(Typ.)
[pF]		 封裝名
[mm]
NewGNP1070TC-Z PDF 650 20 70 5.2 200 50 DFN8080K
[8.0×8.0×0.9]
NewGNP1150TCA-Z PDF 11 150 2.7 112 19 DFN8080AK
[8.0×8.0×0.9]

＜應用範例＞

包含伺服器和AC適配器在內的各種工控設備和消費性電子領域的電源系統

＜電商銷售資訊＞

開始銷售時間： 2023年5月起
電商平台： MOUSER、Digi-Key等
 

＜關於Ancora Semiconductors Inc.（碇基半導體）＞

Ancora

碇基半導體成立於2022年7月，是全球知名電源管理大廠—台灣台達電子（Delta Electronics, Inc.）的子公司，主要從事GaN元件的開發。如欲瞭解更多關於碇基半導體的相關資訊，請至下方網站：
https://www.ancora-semi.com/zh-TW

＜名詞解釋＞

*1) GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種運用於新一代功率元件的化合物半導體材料。與一般的半導體材料—Si（矽）相比，具有更優異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多應用開始採用該材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子移動率電晶體）的英文字母縮寫。
*2) RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss
是用來評估元件性能的指標，其中Ciss是指從輸入端看的總電容，Coss是指從輸出端看的總電容。
該值越低，開關速度越快，開關時的損耗越小。
*3) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）
當人體和電子設備等帶電物體相互接觸時會產生靜電。此靜電會導致電路和設備發生誤動作甚至損壞。