GNP1150TCA-Z
EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
最終銷售
GNP1150TCA-Z
EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
指正在申請中止製造的產品。
Product Detail
規格:
VDS [V]
650
IDS [A]
11
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
150
Qg [nC]
2.7
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
功能:
- 650V E-mode GaN FET
- 150mΩ Resistance
- 2.7nC Gate Charge
Supporting Information
背景
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，SiC（Silicon Carbide：碳化矽）和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月又確立了能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化，ROHM再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。
概要
本產品是由ROHM與Delta Electronics, Inc.（台達電子）的子公司—專注於GaN元件開發的Ancora Semiconductors Inc.（碇基半導體）聯合開發而成，在650V GaN HEMT的元件性能指數（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）方面，達到了業界頂級水準。因此產品可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外產品還內建ESD保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性。不僅如此，產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助週邊元件小型化。
應用範例
包含伺服器和AC適配器在內的各種工控設備和消費性電子領域的電源系統
