※2023年4月25日 ROHM調查
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)新推出「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列」共13款Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V),該系列產品非常適合驅動以24V、36V、48V等級電源供電的應用,例如基地台和伺服器電源、工控和消費性電子設備用的馬達等。

近年來,全球電力需求量持續增加,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,從而要求不斷提高各種馬達和基地台、伺服器等工控設備的效率。在上述應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用於各種電路中,製造商也因此要求能進一步降低功耗。另一方面,導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數,但對於普通的MOSFET而言,由於導通電阻與晶片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題,ROHM透過微細化製程、採用銅夾連接、重新檢視閘極結構等措施,改善了兩者之間難以取捨的關係。
新產品不僅利用微細化製程提高了元件性能,還透過採用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻(Ron)*2,與傳統產品相比,導通電阻降低了50%。另外,透過重新檢視閘極結構,Qgd*3(閘極-汲極間電荷量,通常與導通電阻之間存在難以取捨的關係)也比傳統產品減少了約40%(Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較)。因此可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助各種應用產品的高效率工作。例如,在工控設備用電源評估板上比較電源效率時,新產品在穩定工作時的輸出電流範圍內,實現了業界超高※的電源效率(峰值時高達約95%)。
新產品已於2023年1月開始暫以每月100萬個的規模投入量產(樣品價格500日元/個,未稅),並已經開始透過電商平台銷售。
<產品陣容>
產品型號 |
Datasheet |
VDSS
[V] |
ID[A]
TC=25℃ |
RDS(on)[mΩ] |
Qg[nC] |
Qgd
[nC] |
封裝名
[mm] |
VGS=10V |
VGS=10V |
VGS=6V |
VGS=4.5V |
Typ. |
Max. |
Typ. |
Typ. |
Typ. |
Typ. |
RS6G120BG |
 |
40 |
120 |
1.03 |
1.34 |
67 |
- |
34 |
12 |

HSOP8
(5.0×6.0×1.0) |
RS6G100BG |
 |
100 |
2.6 |
3.4 |
24 |
- |
11.8 |
4.3 |
RS6L120BG |
 |
60 |
120 |
2.1 |
2.7 |
51 |
- |
25 |
7.3 |
RS6L090BG |
 |
90 |
3.6 |
4.7 |
28 |
- |
14 |
4.1 |
RS6N120BH |
 |
80 |
120 |
2.8 |
3.3 |
53 |
33 |
- |
10.1 |
RS6P100BH |
 |
100 |
100 |
4.5 |
5.9 |
45 |
29 |
- |
11.7 |
RS6P060BH |
 |
60 |
8.2 |
10.6 |
25 |
16.2 |
- |
6.3 |
RS6R060BH |
 |
150 |
16.7 |
21.8 |
46 |
30 |
- |
12 |
RS6R035BH |
 |
35 |
32 |
41 |
25 |
16.2 |
- |
6.4 |
RH6G040BG |
 |
40 |
40 |
2.8 |
3.6 |
25 |
- |
11.8 |
4.5 |

HSMT8
(3.3×3.3×0.8) |
RH6L040BG |
 |
60 |
5.5 |
7.1 |
18.8 |
- |
9.2 |
2.7 |
RH6P040BH |
 |
100 |
12 |
15.6 |
16.7 |
10.9 |
- |
4.4 |
RH6R025BH |
 |
150 |
25 |
46 |
59 |
16.7 |
11 |
- |
4.4 |
<應用範例>
- ◇通訊基地台和伺服器電源
- ◇工控和消費性電子產品用馬達
以及其他各類型設備的電源電路和馬達驅動。
<電商銷售資訊>
開始銷售時間: 2023年4月起
電商平台:MOUSER、Digi-Key等
<名詞解釋>
- *1) Nch MOSFET
- 透過向閘極施加相對於源極為正極的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比,由於Nch MOSFET具有更低的導通電阻,在各種電路都很方便使用,因而在目前市場上廣泛的被採用。
- *2) 導通電阻(Ron)
- MOSFET導通時汲極和源極之間的阻值。該值越小,導通時的功率損耗越少。
- *3) Qgd(閘極-汲極間電荷量)
- MOSFET開始導通後,閘極和汲極間的電容充電期間的電荷量。該值越小,開關速度越快,開關時的損耗(功率損耗)越小。
ROHM推出業界頂級※超低導通電阻Nch MOSFET 有助提高應用設備效率
新推出40V~150V耐壓共13款產品 非常適用於工控設備電源和各類型馬達驅動
※2023年4月25日 ROHM調查
2023年4月25日
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)新推出「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列」共13款Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V),該系列產品非常適合驅動以24V、36V、48V等級電源供電的應用,例如基地台和伺服器電源、工控和消費性電子設備用的馬達等。
近年來,全球電力需求量持續增加,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,從而要求不斷提高各種馬達和基地台、伺服器等工控設備的效率。在上述應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用於各種電路中,製造商也因此要求能進一步降低功耗。另一方面,導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數,但對於普通的MOSFET而言,由於導通電阻與晶片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題,ROHM透過微細化製程、採用銅夾連接、重新檢視閘極結構等措施,改善了兩者之間難以取捨的關係。
新產品不僅利用微細化製程提高了元件性能,還透過採用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻(Ron)*2,與傳統產品相比,導通電阻降低了50%。另外,透過重新檢視閘極結構,Qgd*3(閘極-汲極間電荷量,通常與導通電阻之間存在難以取捨的關係)也比傳統產品減少了約40%(Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較)。因此可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助各種應用產品的高效率工作。例如,在工控設備用電源評估板上比較電源效率時,新產品在穩定工作時的輸出電流範圍內,實現了業界超高※的電源效率(峰值時高達約95%)。
新產品已於2023年1月開始暫以每月100萬個的規模投入量產(樣品價格500日元/個,未稅),並已經開始透過電商平台銷售。
<產品陣容>
[V]
TC=25℃
[nC]
[mm]
HSOP8
(5.0×6.0×1.0)
HSMT8
(3.3×3.3×0.8)
<應用範例>
以及其他各類型設備的電源電路和馬達驅動。
<電商銷售資訊>
開始銷售時間: 2023年4月起
電商平台:MOUSER、Digi-Key等
<名詞解釋>
與Pch MOSFET相比,由於Nch MOSFET具有更低的導通電阻,在各種電路都很方便使用,因而在目前市場上廣泛的被採用。
<Video>
<新產品參考資料"Featured Products">
非常適用於基地台、伺服器電源和工控設備、消費電子設備之馬達驅動應用
低導通電阻 Nch 功率MOSFET (銅夾型)
RS6xxxx系列/RH6xxxx系列 (PDF:1.0MB)
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