RS6P060BH
Nch 100V 60A, HSOP8, 功率MOSFET
RS6P060BH
Nch 100V 60A, HSOP8, 功率MOSFET
RS6P060BH是一款非常適用於開關應用的低導通電阻MOSFET。
Product Detail
規格:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
60
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)
0.0107
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0082
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0107
Total gate charge Qg[nC]
16.2
Power Dissipation (PD)[W]
73
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ.)[ns]
53
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1.1)
功能:
- Low on - resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
Supporting Information
背景
近年來，全球電力需求量持續增加，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，從而要求不斷提高各種馬達和基地台、伺服器等工控設備的效率。在上述應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用於各種電路中，製造商也因此要求能進一步降低功耗。另一方面，導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對於普通的MOSFET而言，由於導通電阻與晶片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題，ROHM透過微細化製程、採用銅夾連接、重新檢視閘極結構等措施，改善了兩者之間難以取捨的關係。
概要
「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列」不僅利用微細化製程提高了元件性能，還透過採用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron），與傳統產品相比，導通電阻降低了50%。另外，透過重新檢視閘極結構，Qgd（閘極-汲極間電荷量，通常與導通電阻之間存在難以取捨的關係）也比傳統產品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較）。因此可以降低開關損耗和導通損耗，非常有助各種應用產品的高效率工作。例如，在工控設備用電源評估板上比較電源效率時，產品在穩定工作時的輸出電流範圍內，實現了業界超高的電源效率（峰值時高達約95%）。
應用範例
◇通訊基地台和伺服器電源
◇工控和消費性電子產品用馬達
以及其他各類型設備的電源電路和馬達驅動。
